IP2017_S8至为芯支持C口快充协议的45W功率AC/DC主控芯片

英集芯IP2017_S8广泛应用于快速充电器，电源适配器，氮化镓充电器等设备的离线式AC/DC一次侧反激控制器芯片。结合频率折返与谷底导通技术，减少开关损耗，提升效率。支持高精度输出电压/电流调节，满足严格能效标准。轻载时进入突发模式，工作电流低至160µA。空载时实现零待机功耗（5mW），工作电流仅 31µA。支持Brown-in/Brown-out检测，增强系统可靠性，丰富的定制参数（如最大频率、保护阈值），适配多样化设计需求。适用于需要高功率密度、低待机功耗的AC-DC电源设计。

一、技术特点：低待机功耗的设计改进
IP2017_S8具备低待机功耗的技术特点。在空载状态下，该芯片通过优化电路设计与功耗管理，将待机功耗控制在5mW，工作电流为31μA，相比常见方案有较大幅度降低。这一设计使其能够符合国际主流能效标准，包括美国能源部DoE VI级、欧盟CoC V5标准，为设备制造商提供了适应全球市场准入要求的解决方案。
在技术实现上，IP2017_S8采用自适应多模式控制（MMC）与二次侧调节（SSR）技术，结合频率折返与谷底导通策略，动态调整开关频率以降低损耗。在轻载条件下，芯片可进入突发模式（Burst Mode），将工作电流控制在160μA，同时通过频率调制技术降低EMI辐射与共模噪声，有助于系统在效率与干扰控制之间保持平衡。

二、能效表现：全负载范围的效率优化
IP2017_S8在全负载范围内表现出的能效较为突出。其自适应开关频率范围较宽（最高可达数百kHz），使芯片能够依据负载情况动态调节工作频率，在满载时优化频率以降低器件温度、提升转换效率；在轻载时则通过降低频率减少开关损耗。实测数据显示，搭载IP2017_S8的45W PD快充方案在230V输入条件下，平均效率超过92%，峰值效率可达94%以上，优于常见同类方案。
芯片还集成谷底导通技术，通过检测开关管的谷底电压时刻进行导通，有助于降低导通损耗。此外，其最小峰值电流优化设计在抑制音频噪声的同时，兼顾了待机功耗与系统稳定性，为设备运行提供了可靠支持。

三、保护功能：构建安全稳定的电源系统
IP2017_S8内置多种保护机制，覆盖输入、输出及器件级安全需求：
输入保护：支持过压保护（OVP）、欠压保护（UVP）及Brown-in/Brown-out恢复功能，有助于缓解电网波动对设备的影响；
输出保护：集成过压保护（VS_OVP）、欠压保护（VS_UVP）及带补偿的过功率保护（OLP），有利于输出电压与电流的稳定；
器件保护：通过过温保护（OTP）监测芯片温度，结合氮化镓（GaN）开关管的耐温特性，支持器件长期稳定工作；
异常处理：支持短路保护、开环保护及光耦故障检测，可针对系统异常作出快速响应。

四、应用领域：支持多场景绿色转型
IP2017_S8可适用于多种领域的电源设计：
消费电子：在智能手机、平板电脑及轻薄本快充适配器中，IP2017_S8支持45W-65W功率输出，同时保持较低的待机功耗，有助于满足用户对便携与能效的需求。
工业设备：针对工业自动化、通信基站等场景，芯片的宽电压输入范围（85V-265V AC）与可靠性设计支持设备在复杂电网环境中稳定运行。
新能源领域：在光伏逆变器、储能系统中，IP2017_S8的低损耗特性有助于提高能量转换效率，为碳中和目标提供支持。

五、行业意义：推动电源管理技术发展
IP2017_S8的推出，为设备制造商提供了符合国际能效标准的解决方案，也对电源管理行业的技术发展起到了推动作用。其低待机功耗与高效率设计为行业提供了有益参考，而全面的保护机制与高集成度架构有助于降低系统设计复杂度，缩短产品开发周期。
结语
英集芯IP2017_S8以低待机功耗、全负载高效及全面保护为主要特点，提升了电源管理芯片的技术水平。在能源转型与双碳目标的背景下，IP2017_S8为电子设备提供了更节能、可靠的能源解决方案，并通过技术创新支持行业进步。随着技术持续发展与应用场景扩展，IP2017_S8有望在更多领域发挥作用，助力电源管理技术向前发展。