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国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“在栅极堆叠中具有电介质盖层的氮化镓晶体管”的专利，公开号CN121463482A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本公开涉及在栅极堆叠中具有电介质盖层的氮化镓晶体管。一种晶体管(101)具有：GaN堆叠(108)，其位于衬底(104)上；AlGaN势垒层(116)，其位于所述GaN堆叠(108)上；栅极堆叠(102)，其包含在所述AlGaN势垒层(116)上的p‑GaN层(118)、在所述p‑GaN层(118)的第一部分上的电介质层(126)和在所述电介质层(126)上的栅极电极(128)；以及AlGaN盖层(121)，其位于所述p‑GaN层(118)的第二部分上且在所述栅极电极(128)的一部分的横向外侧。一种制造半导体装置(100)的方法包含在经图案化p‑GaN层(118)上形成电介质层(126)，以及在所述电介质层(126)上形成栅极电极(128)。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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