北京
国家知识产权局信息显示，武汉脉冲芯电子科技有限公司申请一项名为“一种低电感均流碳化硅功率模块”的专利，公开号CN121463504A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请属于碳化硅功率芯片封装技术领域，更具体地，涉及一种低电感均流碳化硅功率模块，通过在碳化硅功率子模块的两只碳化硅功率芯片中间设置去耦电容，可有效补偿碳化硅功率芯片的开关瞬态能力、缩短能量循环路径，进而能抑制电压尖峰、削弱电磁干扰和降低芯片内环路阻抗，从而能降低各回路寄生电感；通过去耦电容簇可有效增强各回流环路能量缓冲能力，并抑制各回路之间的互感，进而可配合各碳化硅功率芯片之间的去耦电容，降低各芯片回路寄生电感，可在保证各芯片的开关瞬态能力不被削弱的同时，显著降低各回路寄生电感、增强热传导效率和改善各并联器件的均流性，并能对模块的均流和均温状态进行实时准确的检测。
天眼查资料显示，武汉脉冲芯电子科技有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉脉冲芯电子科技有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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