北京
国家知识产权局信息显示，深圳争妍微电子有限公司申请一项名为“一种GaN射频器件及其制备方法”的专利，公开号CN121442732A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种GaN射频器件及其制备方法，属于半导体射频器件技术领域，包括衬底，以及依次层叠于衬底上的渐变缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层，还包括形成于AlGaN势垒层上的T型栅极电极、欧姆接触电极和复合钝化层，且衬底背离渐变缓冲层的一侧设有复合散热层，上述结构的外部包裹有外壳。该GaN射频器件及其制备方法，通过优化器件异质结结构与制备工艺参数，协同解决了现有GaN射频器件电流崩塌效应显著、欧姆接触电阻高、散热效率低及高频稳定性差的技术痛点，器件的高频输出功率、热稳定性及使用寿命均得到大幅提升。
天眼查资料显示，深圳争妍微电子有限公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳争妍微电子有限公司专利信息15条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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