北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN121442731A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域，包括：提供衬底，衬底上形成有栅极结构；刻蚀栅极结构两侧的衬底，以在衬底内形成源漏凹槽；在源漏凹槽内形成缓冲层，缓冲层覆盖源漏凹槽的内壁，缓冲层的至少部分表面上具有第一副产物层；至少在第一副产物层上形成第一吸附层，第一吸附层用于吸附第一副产物层内聚集的掺杂离子；至少去除第一吸附层；在源漏凹槽内形成籽晶层，籽晶层填充源漏凹槽。本申请在第一副产物层上形成第一吸附层，第一吸附层能够吸附第一副产物层内聚集的掺杂离子，去除第一吸附层，从而可以减轻或避免后续退火时第一副产物层内的掺杂离子扩散，导致器件运行过程中发生漏电的问题，提升了器件的性能。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1607条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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