氮化镓，格局生变

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军费开支攀升、雷达现代化改造、电子战发展以及安全卫星通信网络的扩张，正共同推动射频（RF）技术从单纯的性能升级，转变为关乎国家安全的战略必需品。

本文由 Yole Group 射频与化合物半导体领域分析师 Ahmad Abbas 和 Cyril Buey 联合撰写。这份行业简报深入探讨了国防与卫星通信两大领域，如何推动射频解决方案迈入具有战略意义的全新发展阶段。

基于 Yole Group《2025 年射频行业现状报告》（2026 版即将发布）、《2026 年氮化镓射频市场报告》、《2026 年国防射频技术报告》等多份研究成果，两位分析师对射频技术的发展现状进行了最新梳理，重点聚焦氮化镓（GaN）基解决方案。他们分析了驱动当前市场格局的核心技术、参与企业及供应链变化趋势，并清晰阐述了氮化镓射频技术缘何成为未来国防与太空基础设施的基石。

国防与卫星通信需求：推动射频技术向氮化镓转型

从市场出货量来看，硅基射频技术凭借成本优势和高集成度，目前仍占据主导地位。但在硅基技术难以突破的高功率、高频段应用场景中，以氮化镓为代表的化合物半导体正不断扩大市场份额。

在当前地缘政治格局下，国防领域的需求尤其加速了氮化镓射频技术的落地应用，使其成为整个射频市场的核心增长引擎。

Yole Group 预测，国防领域氮化镓射频技术的市场规模将从 2025 年的 5.92 亿美元，以 10% 的年复合增长率增长至 2031 年的 10.6 亿美元；与此同时，氮化镓射频技术整体市场规模将以 11% 的年复合增长率扩张，到 2031 年突破 24 亿美元。

国防装备的生产规模正快速扩大，相关技术指标也朝着更高频段、更高功率和更高线性度的射频前端方向发展，这推动氮化镓功率放大器在机载 / 地面有源相控阵雷达（AESA）、以及为移动军事平台提供安全连接的 “动中通” 卫星通信系统等应用中加速普及。

电子战与反无人机作战的快速发展，同样促使氮化镓技术在干扰机和多功能射频系统中得到更广泛应用。现代战场对设备提出了更宽频段覆盖、更快响应速度和小型化的需求，这一趋势将推动氮化镓技术在中长期内逐步取代砷化镓（GaAs）和横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术。

在雷达领域，碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）已成为主流技术选择。该技术可实现射频收发模块的小型化与高可靠性，同时取代传统的真空管解决方案，全面提升机载、地面及舰载雷达平台的探测距离与分辨率。

除军事应用外，随着卫星通信行业向更高吞吐量系统和更高工作频段升级，氮化镓射频技术在这一高速增长领域的应用势头也日益强劲。

低地球轨道（LEO）卫星星座的快速部署、下一代地面网关的建设，以及 “卫星直连终端” 的长期发展目标，正推动卫星通信架构向 E 波段等更高频谱拓展，进而带动氮化镓技术在空间与地面基础设施中的应用渗透率持续提升。

谁将从国防驱动的氮化镓射频增长中受益？

展望未来，技术路线的选择将深刻影响行业竞争格局。硅基氮化镓（GaN-on-Si）有望成为市场颠覆者，但研发人员需攻克热性能与可靠性方面的重大技术瓶颈，这意味着该技术在 2030 年前难以实现大规模商用。

Ahmad Abbas 表示：“目前，碳化硅基氮化镓是主流技术方案，但未来几年硅基氮化镓有望成长为有力竞争者。在部分应用场景中，它能实现效率与成本的更优平衡，且已有多家企业在积极布局该技术的研发。”

当前，氮化镓射频技术的市场需求集中在少数高度专业化的器件与材料供应商手中。这源于该领域存在较高的市场准入壁垒，包括衬底材料供应、工艺技术积累以及漫长的产品认证周期。

在此背景下，UMS 等老牌碳化硅基氮化镓器件厂商，将充分受益于这波由国防需求驱动的市场扩张浪潮。

Wolfspeed、SICC 和 Coherent 等衬底与材料供应商，将在保障碳化硅晶圆供应稳定及工艺一致性方面持续发挥战略作用。与此同时，Akash Systems、RFHIC 和 Crystal IS 等新兴企业正布局金刚石基氮化镓（GaN-on-diamond）或氮化铝基氮化镓（GaN-on-AlN）技术，这类企业将继续聚焦高端、小批量的国防与航空航天细分市场。

这种竞争格局表明，企业在氮化镓射频领域的领先地位，不仅取决于器件性能，更取决于其制造能力与产品认证积淀。这一市场态势预计将持续至本十年末。

地缘政治重塑全球氮化镓供应链格局

地缘政治因素不仅提振了国防领域的市场需求，更从根本上改变了氮化镓射频供应链的构建方式与布局地点。

中美之间的紧张局势，正通过原材料出口管制与技术制裁等手段，对氮化镓射频产业生态产生日益深远的影响，迫使各国政府与企业加快产能本土化进程，以保障供应链安全。

中国作为全球最大的镓生产国，于 2023 年通过实施出口许可制度限制镓的出口，引发了全球镓资源的供应风险与价格波动。

与此同时，美国长期限制中国公司获取氮化镓器件等先进射频技术，这一举措也加速了中国推进相关领域自主化的进程。Sanan IC、HiWafer、Enkris 和 AMEC 等本土企业，正不断扩充在衬底、外延片、器件及设备领域的本土产能，以降低对国外供应商的依赖。

需要指出的是，并非所有化合物半导体供应链都面临同等程度的风险。砷化镓射频衬底的生产受镓出口限制的影响更为显著，因为镓原材料在其制造成本中占比更高；而氮化镓衬底的供应受影响相对较小，原因是外延工艺对镓的消耗量相对有限。

2026 年以后，氮化镓射频技术的增长，将同时取决于两大核心因素：一是供应链自主可控、出口管制等地缘政治考量；二是能源效率提升、更高频段拓展、与硅基平台集成等技术层面的突破。

（来源： Yole）

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