北京
国家知识产权局信息显示，深圳云潼微电子科技有限公司、重庆云潼科技有限公司申请一项名为“一种快恢复二极管及制造方法”的专利，公开号CN121419261A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种快恢复二极管及制造方法，该快恢复二极管包括：衬底、外延层、有源区和环绕有源区的终端区；外延层设置在衬底之上；有源区和终端区设置在外延层上；终端区包括：正面P型过渡区和至少两个正面P型场限环；正面P型过渡区和正面P型场限环均位于外延层上，正面P型过渡区与有源区的主结相接触，正面P型场限环呈间隔分布且依次环绕正面P型过渡区和有源区，有源区的主结的上表面、正面P型过渡区的上表面、正面P型场限环的上表面和外延层的上表面处于同一水平面；正面P型过渡区为平滑相接的双弧形区域。通过该快恢复二极管，降低器件的阳极边缘处的电场和电流密度，增强器件的可靠性和实用性。
天眼查资料显示，深圳云潼微电子科技有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本750万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳云潼微电子科技有限公司专利信息13条，此外企业还拥有行政许可1个。
重庆云潼科技有限公司，成立于2018年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本961.6794万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆云潼科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息85条，专利信息218条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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