仅次于光刻机！首台国产氢离子注入机问世，打破欧美50年封锁

导读：仅次于光刻机！首台国产氢离子注入机问世，打破欧美50年封锁

中国芯片领域的“自主拼图”，终于趋近圆满了吗？近日，中国原子能科学研究院正式公布一则极具分量的消息：我国成功研制出首台自主研发的串列型高能氢离子注入机“POWER - 750H”，其核心指标已与国际先进水平持平，这标志着该设备已达成全面自主生产。

这是在芯片制造领域继刻蚀机、薄膜沉积设备之后取得的又一重大突破。至此，除光刻机之外，芯片制造的“四大核心装备”我们已集齐三项。可以说，能够自主生产目前所有已知芯片的时代已然近在咫尺。

在过去的50年里，离子注入机市场一直被美欧牢牢掌控，对我国实施长达数十年的禁运政策。即便在2022年禁运有所松动后，也仅以高价向我国出口低端设备。如今，国产技术取得突破，直接打乱了国际芯片产业的格局。美国的行业报告更是直言不讳地指出“中国将重塑全球芯片设备供应链”。

一、美欧的千层垄断套路，我国50年的血泪史

离子注入机，若以更具象的表述，堪称芯片的“基因编辑师”。其核心功能在于将离子注入硅片内部，以此调整材料的局部导电性能，确保芯片内部电路得以正常运转。

然而，这款关键设备的技术壁垒极高。它不仅要确保离子束误差被精准控制在纳米级别，实现高能量稳定性，还需有效应对长时间工作所导致的设备损耗问题，在材料、精密制造等多个领域对技术的要求极为严苛。

由于具备上述特性，在过去相当长的时间里，该设备的制造与出口一直被美欧企业牢牢把持。上世纪50年代，美欧便率先开启相关研究。凭借这一先发优势，自70年代起，以美国应用材料、Axcelis等为代表的美欧企业持续垄断相关市场。当时，听闻我国计划启动自主研究，他们即刻下令对中国实施离子注入机禁运，美国企业甚至公然宣称“要让他们一台也拿不到”。

2022年，美欧假意放宽禁令，向我国开放设备出口。实则是抓住我国急需设备开展研究的困境，以高出本土数倍的价格强行售卖，且仅提供过时机型，还附加苛刻的售后条款，延迟发货更是屡见不鲜。数据显示，2025年我国离子注入机进口额超过50亿元，占全球进口量的42%，这无异于花费巨额资金购买“二手技术”，被美欧无情“吸血”，而我国为了获取设备开展研究，只能暂时隐忍。所幸，这段艰难的岁月如今终于迎来了转机。

二、50年的艰难突围，从理论突破到反向出海

面对外部封锁，科研人员从未消极以待、坐视不管。上世纪70年代，邹世昌院士引领团队率先开展科研攻关，以创新性思维利用低端设备达成了“低能离子束精准调控”，完成了原本需中高端设备方可开展的实验，为后续相关研发奠定了坚实的理论根基。

在此基础上，2009年，凯世通成功研制出首款低能国产机型并实现量产，有效满足了中低端芯片制造的设备需求；2025年7月，华海清科在中高端设备领域取得突破；当下，“POWER - 750H”高能机型研制成功，其性能直接追平国际先进水平，标志着我国在离子注入机领域实现了从跟跑国际到并驾齐驱的全面跨越。

而这种在突破困境中所展现的坚韧决心，于不同领域的研究者之间薪火相传。以曾被美欧抬高价格的航空发动机为例，我国现已成功制造出完全自主设计与制造的“长江2000”。

技术突破亦促使市场格局发生反转。在离子注入机领域，同样是捷报频传。电科装备的中低端机型已批量出口至亚洲、美洲国家，2025年出口量较上一年同比增长35%。随着高能机型的问世，未来中国离子注入机有望在全球高端市场占据一席之地。

三、全面自主在即，最后一块拼图何时到来？

高能氢离子注入机所取得的突破，使得芯片核心设备的自主化进程仅剩下光刻机这最后一片“拼图”，而攻克这一难关也已初现曙光。

2025年，28nm浸没式光刻机顺利完成工艺验证，并交付至头部晶圆厂进行进厂验证；高端EUV光刻机预计将于2026年实现规模化量产，其实验阶段的稳定性已与ASML同款机型不相上下。

显而易见，从离子注入机到光刻机，科技企业正逐一攻克“卡脖子”难题。当芯片制造的四大核心装备全部达成自主可控之时，全球芯片市场必将迎来国产芯片的崭新时代。

而这份突破背后所彰显的坚韧不拔与自强不息的精神，也必将激励更多领域打破国外垄断，踏上自主发展的光明坦途。