荷兰专家：5年前预测中国能造7nm，没想到他们却实现了成熟化造芯

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在全球芯片产业被技术封锁与垄断裹挟的当下，中国芯片的突围之路始终备受瞩目。

荷兰Techwatch CEO雷吉梅克五年前的一则预测，如今成为现实却更超预期，2021年他预判中国5年能造7nm，而如今中国不仅达成目标，更将7nm芯片当作成熟工艺规模化落地。

在ASML受美施压封锁核心设备的背景下，中国何以走出这条独特路径？这份突破背后，藏着怎样的技术韧性与产业智慧？

预测成真再超预期，7nm改写成熟工艺定义

作为荷兰高科技领域的资深从业者，雷吉梅克的判断始终兼具行业洞察力与客观性。

2021年，当全球都认为中国芯片受设备限制难以快速突破先进节点时，他大胆预测中国将在5年内攻克7nm芯片量产技术，彼时这一观点仍面临不少质疑。

毕竟EUV光刻机被ASML独家垄断，而美国正持续施压荷兰政府，封锁EUV及先进浸润式光刻机对华出口，试图从设备端切断中国先进芯片的研发路径。

五年时间过去，雷吉梅克的预测不仅如期兑现，更迎来了超出预期的反转。

2023年，国产7nm芯片正式实现量产，而短短两年后，中国企业已将这一曾被视为“先进节点”的芯片，纳入成熟工艺体系规模化生产。

不同于国际厂商将7nm当作高端小众技术谨慎迭代，中国企业通过规模化效应摊平研发成本。

不断优化产能、良品率与功耗，让7nm芯片快速适配中端智能手机、物联网设备、汽车电子等主流场景，完成了从“技术突破”到“产业落地”的跨越式升级。

雷吉梅克在受访时坦言，这种发展速度与路径创新，彻底刷新了他对中国芯片产业的认知，更感慨若无美国出口管制，中国或在5至10年内追上国际顶尖水平。

DUV突围，多种技术路径破解设备封锁

中国芯片企业能将7nm打造成成熟工艺，核心在于走出了一条不依赖EUV的技术路径，在DUV光刻机的潜力挖掘上做到了极致。

全球芯片产业普遍形成“先进节点必靠EUV”的固有认知，EUV光刻机凭借极紫外光的高精度，可高效实现7nm及以下节点芯片量产。

而ASML作为全球唯一能生产EUV的企业，几乎垄断了高端光刻机市场。

受出口封锁影响，中国无法获取EUV设备，转而深耕DUV光刻机的技术延伸。

DUV光刻机分为干式与浸润式两类，其中浸润式设备最高可支持7nm节点生产，甚至能通过技术优化触碰5nm门槛，但全球尚无企业能实现DUV量产5nm芯片。

节点越先进，浸润式工艺的良品率与经济性越低，因此英特尔、三星、台积电均在7nm节点全面切换EUV设备。

中国企业则另辟蹊径，通过“浸润式DUV+多重图案化技术”实现突破，多重图案化技术通过多次曝光、蚀刻的叠加操作，弥补DUV设备在精度上的不足。

虽增加了工艺复杂度，但通过精细化管控与规模化生产，成功将7nm芯片的良品率与成本控制在合理范围。

这份技术韧性持续释放成果：2023年国产7nm芯片正式上市，2024年新一代国产干式DUV光刻机亮相，技术水平较此前适配90nm节点的设备实现质的飞跃。

如今，国产7nm芯片已在功耗、稳定性等维度完成多轮优化，彻底摆脱“试验性技术”的标签，成为支撑国内终端电子产业发展的成熟供给，印证了中国芯片企业“先量产、再优化、成规模”的务实思路。

ASML垄断与封锁，倒逼自主创新之路

中国芯片的技术突围，更需放在全球光刻机产业格局中审视，才能读懂其突破的不易。

ASML的垄断地位，并非单纯依靠技术优势，而是多种资源绑定与布局的结果。

其崛起离不开两大核心支撑，一方面，台积电在技术、人才、资金上持续加码，为ASML提供了精准的技术反馈与市场支撑。

另一方面，英特尔联合美国能源部组建EUV LLC技术联盟，将ASML纳入体系，同时排挤尼康、佳能等日本竞争对手，为ASML扫清市场障碍。

深度绑定美国资本与政策，让ASML获得了研发加速的红利，却也丧失了出口自主权。

为构建技术壁垒，ASML还通过全资收购核心供应链企业强化掌控力，收购美国 Cymer 公司掌控光源技术，拿下德国蔡司公司垄断光学组件供应，通过整合全产业链实现子系统高效协同，构建起难以逾越的技术护城河。

在此背景下，美国通过施压荷兰政府，封锁EUV及先进浸润式光刻机对华出口，本质是试图通过设备垄断遏制中国芯片产业升级。

相较于美国光刻机产业的败局，中国精准避开了历史雷区，美国光刻机企业因态度傲慢，忽视客户反馈最终被市场淘汰，后被ASML全资收购。

德国蔡司则因光刻机研发周期长、见效慢，不符合企业短期盈利目标，放弃整机研发转而聚焦光学成像系统。

中国则凭借国家层面的战略扶持，将芯片自主列为政策重点，通过专项研发补贴、产业链基金、人才计划持续输血，企业坚守自主研发，在封锁压力下走出了一条差异化创新之路。

双轨并行，在迭代中追赶国际水平

雷吉梅克对中国光刻机发展持保守态度，并非否定中国潜力，而是正视芯片产业“技术密集、周期漫长”的客观规律。

当前中国虽在DUV领域实现突破，但EUV相关核心技术仍存在空白，光刻机核心组件的研发、设备稳定性调试、全产业链协同等，都需要长期积累，设备到位时间、技术成熟度仍存在不确定性。

但不可忽视的是，中国已构建起显著的发展优势，为后续突破奠定了基础。

政策与产业协同发力，形成了强大的创新合力：国家持续加大芯片产业扶持力度，从研发投入到市场培育构建全链条保障。

企业通过7nm规模化量产，积累了先进工艺优化经验，为向5nm及以下节点突破储备了技术能力。

在核心组件领域，国内企业正逐步突破光学系统、光源等关键环节，减少对海外供应链的依赖。

与此同时，7nm作为成熟工艺的规模化落地，不仅为企业带来稳定营收，更形成了“研发-量产-迭代”的良性循环，为先进技术攻坚提供了资金与经验支撑。

未来，中国芯片产业或将延续“成熟工艺深耕、先进技术攻坚”的双轨思路：一方面持续优化7nm及以上成熟工艺，扩大产能优势，满足国内市场主流需求。

另一方面稳步推进EUV相关技术研发，突破核心设备与组件瓶颈，逐步缩小与国际顶尖水平的差距。

雷吉梅克“无封锁5-10年追平国际”的判断，既点出了外部制约的影响，也认可了中国芯片的追赶速度。

在全球芯片产业格局重构的当下，中国凭借技术韧性与制度优势，正逐步从“跟跑者”向“并跑者”跨越，书写自主创新的新篇章。