北京
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国家知识产权局信息显示，艾德亚半导体接合科技有限公司申请一项名为“用于低温混合接合的方法和结构”的专利，公开号CN121400135A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种半导体元件在混合接合表面的导电特征之上提供有微结构金属层。微结构金属层包括细金属晶粒微结构，诸如纳米晶粒。通过提供金属氧化物并且将金属氧化物还原为金属，可以在导电特征之上形成微结构金属层。如果金属氧化物是通过氧化形成的，则可以选择性地形成微结构金属层。当直接与另一个元件接合时，在接合界面处形成强接合的微结构金属层可以大大降低退火温度。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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