北京
国家知识产权局信息显示，深圳市美浦森半导体有限公司申请一项名为“一种可变电容的SGT晶体管的制作方法和SGT晶体管”的专利，公开号CN121368147A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术，公开了一种可变电容的SGT晶体管的制作方法和SGT晶体管，包括：在主体上表面制作介质层后，在主体不同布局位置处分别制作相应的源极接触孔和栅极接触孔；在主体上表面制作正面金属层，并刻蚀正面金属层，分别形成连通源极接触孔的源极、连通主栅接触孔的主栅极、连通副栅接触孔的副栅极；在主体背面制作背面金属层作为漏极，得到SGT晶体管；其中，主栅极和副栅极相接、副栅极与源极断开时，SGT晶体管具有第一电容值；主栅极和副栅极断开、副栅极与源极相接时，SGT晶体管具有第二电容值；第一电容值大于第二电容值。本申请旨在实现可变电容的SGT晶体管的制作，以适配不同应用场景对输入电容的要求。
天眼查资料显示，深圳市美浦森半导体有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市美浦森半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息87条，此外企业还拥有行政许可22个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
