北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“应用于化镀工艺中的清洗方法”的专利，公开号CN121358204A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种应用于化镀工艺中的清洗方法，包括：将晶片浸没于清洗槽的去离子水中，该晶片是进行减薄处理和化镀工艺后的晶片；对晶片进行至少两次清洗处理，该清洗处理包括通过去离子水进行溢流和鼓泡，溢流是指在去离子水中产生流动，鼓泡是指在去离子水中产生气泡；将晶片传送出清洗槽；将清洗槽中的去离子水排出，在清洗槽中补入新的去离子水。本申请通过将减薄处理和化镀工艺后的晶片在清洗槽内的清洗处理由溢流、鼓泡、快排、注水改进为持续溢流和鼓泡，在晶片离开清洗槽后，再对清洗槽内的去离子水进行排出，注入新的去离子水，从而降低了槽体内的流态变化，改善了晶片在化镀后的清洗过程中的破片现象，进而提高了良率和生产效率。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1969条，此外企业还拥有行政许可117个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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