国家知识产权局信息显示,国网北京市电力公司;北京怀柔实验室申请一项名为“IGCT驱动电路”的专利,公开号CN121356542A,申请日期为2025年10月。专利摘要显示,本申请公开了一种IGCT驱动电路。该电路包括:MOSFET驱动电路,包括一对互补工作的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET,用于为IGCT器件提供正向门极电流和反向门极电流;两个门极电阻,用于调节IGCT器件的门极电流;两个加速电容,用于在MOSFET驱动电路导通瞬间提供瞬态电流,调节IGCT器件的门极电压上升速度;信号隔离模块用于外部控制信号传输至MOSFET的栅极;电源模块,用于向N沟道MOSFET提供正直流电压和向P沟道MOSFET提供负直流电压。本申请解决了相关技术中IGCT在高频开关操作中面临的门极电流变化率低和开关速度慢,导致IGCT的开关频率受限和电力转换效率不高的技术问题。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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