北京
分享至
国家知识产权局信息显示，国网北京市电力公司;北京怀柔实验室申请一项名为“IGCT驱动电路”的专利，公开号CN121356542A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本申请公开了一种IGCT驱动电路。该电路包括：MOSFET驱动电路，包括一对互补工作的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET，用于为IGCT器件提供正向门极电流和反向门极电流；两个门极电阻，用于调节IGCT器件的门极电流；两个加速电容，用于在MOSFET驱动电路导通瞬间提供瞬态电流，调节IGCT器件的门极电压上升速度；信号隔离模块用于外部控制信号传输至MOSFET的栅极；电源模块，用于向N沟道MOSFET提供正直流电压和向P沟道MOSFET提供负直流电压。本申请解决了相关技术中IGCT在高频开关操作中面临的门极电流变化率低和开关速度慢，导致IGCT的开关频率受限和电力转换效率不高的技术问题。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
