国家知识产权局信息显示,上海中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“基于HF酸泡槽的CVD前洗净机清洁方法”的专利,公开号CN121358208A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本发明公开了基于HF酸泡槽的CVD前洗净机清洁方法,具体涉及半导体制造技术领域,包括CVD前洗净机,所述CVD前洗净机包括有SC‑1药液槽,在所述CVD前洗净机的SC‑1药液槽进行药液换液过程中,执行氢氟酸泡槽工序,该工序包括以下步骤:S1:排空所述SC‑1药液槽中的残余药液;S2:向空槽中加入预定体积和浓度的氢氟酸溶液。本发明所述的基于HF酸泡槽的CVD前洗净机清洁方法,通过引入HF酸泡槽工序,在SC‑1药液槽换液过程中定期执行HF酸循环浸泡,能够溶解和去除积累在槽体及循环管路中的金属铝污染物,实验数据表明,与传统无泡槽操作相比,本发明可使CVD前洗净机中的金属铝水平降低高达32%,从而减少硅片在清洗过程中的二次污染风险,改善半导体器件的电性能和良率。
天眼查资料显示,上海中欣晶圆半导体科技有限公司,成立于2019年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目19次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息267条,此外企业还拥有行政许可77个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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