北京诞生的存储芯片巨头：四项跻身全球前十，苹果、华为是其客户

2026年1月13日，中国存储芯片龙头兆易创新（GigaDevice）正式登陆香港资本市场，开启“A+H”双上市平台布局。截至发稿时，总市值达到1895.20亿港元。

公开资料显示：兆易创新成立于2005年4月，总部位于北京，主要为客户提供专用型存储芯片（NOR Flash、DRAM、NAND Flash）、MCU（微控制器，俗称单片机）、传感器芯片、模拟芯片等多样化芯片，以及包括相应算法、软件在内的一整套系统及解决方案。产品广泛应用于消费电子、汽车、工业应用（如工业自动化、储能及电池管理）、个人计算机及服务器、物联网、网络通信等领域，是国内少数在多项核心存储与控制芯片领域实现全球对标的企业，客户包括苹果、三星、华为、小米、特斯拉、比亚迪、吉利等。

简单解释一下，按照断电后储存的数据是否会丢失，存储芯片可分为两大类——易失性存储芯片，主要有SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM；非易失性存储芯片，主要包括ROM（只读存储器）、闪存（NAND Flash、NOR Flash）和EEPROM。

兆易创新能有今天的成绩，离不开创始人兼董事长朱一明的精心经营。1972年，他出生于江苏盐城，17岁考入清华大学物理系，先后获得本科、硕士学位，后赴美国纽约州立大学石溪分校深造，获得电子工程硕士学位。

毕业后，朱一明在多家硅谷公司担任工程师和项目主管，积累了丰富经验和技术实力。他发现，存储行业从美国转移至日本，再转移至韩国和中国台湾，未来中国大陆也有可能诞生出“中国版三星”，于是与清华校友舒清明在一个车库里，花了几个月时间设计了一款SRAM（静态随机存储器）。传统的静态随机存储器一个存储单元需要六个晶体管，而他们的产品只需要两个，相当于成本缩减三分之二，性能和效率却提升三倍。

2005年，朱一明回国创业，在清华留学人员创业园成立了芯技佳易（兆易创新的前身）。凭借SRAM站稳脚跟后，他将目光瞄向NOR闪存。三年后成功推出中国首颗自主设计的180nm SPI（串行外围接口） NOR Flash芯片，并趁着三星战略性放弃NOR Flash业务和飞索半导体濒临破产的机遇，成长为全球排名第一的无晶圆厂Flash供应商，累计出货量超过270亿颗。

紧接着，兆易创新进入MCU市场，陆续推出首颗国产基于Arm Cortex-M3、Cortex-M4、Cortex-M23、Cortex-M33、Cortex-M7内核通用32位MCU产品，提供超过63个系列、700余款产品选择，累计出货量超过20亿颗。

此外还聚焦DRAM存储器利基市场（消费、工业、网通等），推出DDR4、DDR3L及LPDDR4等系列产品。展望未来五年，对于国内30亿-40亿美元的利基DRAM市场，公司的目标是取得至少三分之一的份额。

目前，兆易创新正着力打造“感知、存储、计算、控制、连接”（感存算控连）生态协同解决方案。这一完整的生态系统使其能够为人形机器人、电动汽车、智能可穿戴设备等前沿领域提供综合芯片解决方案。

2022-2024年，公司营收分别为81.30亿、57.61亿、73.56亿，净利润分别为20.53亿、1.61亿、11.01亿元，综合毛利率分别为45.5%、30.3%、35.7%。去年前三季度实现营收68.32亿元，净利润10.83亿元，同比分别增长20.92%和30.18%，综合毛利率达到38.3%。