北京
国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN121335126A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域。所述半导体器件的制备方法，包括：提供第一衬底；于第一衬底的正面键合第二衬底；于第二衬底的正面依次形成外延层、正面金属层和正面保护层；对第一衬底的背面进行减薄，直至完全去除第一衬底；于第二衬底的背面进行离子注入，形成集电区；于第二衬底的背面形成背面金属层；去除正面保护层。上述半导体器件可以有效改善碳化硅IGBT因衬底过厚导致的成本问题。
天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息60条，专利信息505条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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