北京
国家知识产权局信息显示，原集微（上海）电子有限公司申请一项名为“二维半导体堆叠器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN121335422A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种二维半导体堆叠器件结构及其制备方法，通过第一层间介质层与第二层间介质层键合工艺，实现了二维半导体器件的三维垂直堆叠，有效解决了传统二维半导体薄膜转移工艺中常见的有机残留物引入、材料褶皱和断裂等问题，从而显著增强了堆叠结构的完整性和长期工作稳定性。同时，利用键合界面的介质层构建了高效的层间隔离屏障，实现了两层二维半导体层之间的高效电学隔离，解决了现有堆叠架构中阈值电压的串扰问题，实现了上下层晶体管阈值电压的独立精准调节，为器件性能优化提供了更大的灵活性。
天眼查资料显示，原集微（上海）电子有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，原集微（上海）电子有限公司专利信息3条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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