北京
国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种晶圆加热盘的标定方法和温度控制装置”的专利，公开号CN121326045A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种标定方法、温度控制装置及存储介质。标定方法包括以下步骤：获取加热盘的最高目标温度、预设的温升步长及预设的恒温间隔；逐步增大向设于所述加热盘的目标加热区的第一加热丝提供的第一功率，并采集所述目标加热区表面在不同时刻的第一温度，以控制所述目标加热区表面在所述最高目标温度以下的范围内，每升温一个所述温升步长就恒温一个所述恒温间隔；采集所述第一加热丝在各所述恒温间隔处的第一电压与第一电流，以计算其第一电阻值；以及根据所述第一加热丝在各所述恒温间隔处的第一电阻值与第一温度，标定其第一电阻‑温度映射关系曲线。通过采用上述方法，本发明能够根据加热丝电阻值，确定加热盘表面的温度分布，从而满足半导体加工领域对加热盘温度控制日益升高的控制精度要求。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息440条，此外企业还拥有行政许可16个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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