北京
国家知识产权局信息显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司申请一项名为“平整三五族化合物材料层表面的方法及外延生长方法”的专利，公开号CN121310858A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种平整三五族化合物材料层表面的方法及外延生长方法，通过交替性引入氢气及保护气体，并进行周期性使用，在每个周期中先引入氢气进行刻蚀，氢刻蚀后的材料表面具备富第一三五族化合物材料层中的三族元素金属的特性，后续引入的保护气体，将该些三族元素金属副产物再反应回稳定的三五族化合物，这样一个周期等于构建了一个可控平整化的方式，从而经过预设周期的可控平整化过程，可以实现材料表面的整平甚至还可对材料表面进行一定厚度的回刻蚀，并且在整平过程中还会在材料表面形成一层界面层，该界面层的形成在特定器件结构中将会对器件的性能进行提升。
天眼查资料显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司，成立于2008年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6852万美元。通过天眼查大数据分析，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司共对外投资了43家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息57条，专利信息850条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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