北京
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国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器装置及其读取电压的设定方法”的专利，公开号CN121281588A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种存储器装置及其读取电压的设定方法。存储器装置例如为三维与非式闪存，且提供高性能以及高容量的储存媒介。读取电压的设定方法包括：根据多个第一读取电压区间对多个存储单元执行读取验证操作，并获得多个第一通过存储单元数量；偏移各第一读取电压区间偏移电压值，以获得多个第二读取电压区间；根据第二读取电压区间对存储单元执行读取验证操作，并获得多个第二通过存储单元数量；以及，判断出通过存储单元数量中，有无发生至少一连续相等数值，或通过存储单元数量中的最小数值，根据连续相等数值或最小数值来设定读取电压。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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