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国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种分气结构及多站式工艺腔”的专利，公开号CN121250337A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种分气结构及多站式工艺腔。分气结构包括：进气管，连接气源；混气腔室，包括第一进气口及多个第一出气口，其中，所述第一进气口连接所述进气管；以及多根文丘里管，其中，每根所述文丘里管的第一端分别连接一个所述第一出气口，而其第二端分别连接一个工作站。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息430条，此外企业还拥有行政许可16个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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