HBM，最新预测

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2026年，全球半导体行业将进入转型期，市场结构和价值链将进行调整以适应人工智能基础设施的扩张。预计整个市场规模将接近1万亿美元，其中存储半导体将成为需求和盈利能力的关键驱动力。尤其值得一提的是，业内专家预计SK海力士将成为这一转变的主要推动力，因为这家芯片制造商拥有独特的优势，是唯一一家能够可靠地交付HBM3E和下一代HBM4的供应商。

根据世界半导体贸易统计（WSTS）的数据，2026年全球半导体市场将同比增长超过25%，达到约9750亿美元，其中存储器领域的增长率将达到30%。市场研究公司和投资银行预计服务器和数据中心存储器市场将出现特别强劲的增长，一些机构估计2026年存储器市场规模将超过4400亿美元。

分析表明，随着人工智能训练和推理服务器投资的增加，每台服务器的DRAM和HBM内存容量也在稳步增长。与此同时，对企业级固态硬盘（eSSD）等存储设备的需求也在上升，导致整个人工智能基础设施中内存和存储的占比结构性增加。

自2024年以来，业内人士一直用“超级周期”来形容存储器行业的强劲增长势头。美国银行（BofA）将2026年定义为“类似于上世纪90年代繁荣时期的超级周期”，并预测全球DRAM收入将同比增长51%，NAND收入将同比增长45%，平均售价（ASP）将分别上涨33%和26%。此外，美国银行还将SK海力士评为全球存储器行业的“首选股”，并预测该公司将成为此次超级周期的主要受益者之一。

全球企业预计，从2025年到2028年，以HBM为核心的AI专用内存需求将快速增长。一些预测甚至表明，2028年HBM市场规模将超过2024年整个DRAM市场规模。

美国银行预计，2026年HBM市场规模将达到546亿美元，较上年增长58%。高盛尤其预测，用于定制ASIC芯片的AI芯片的HBM需求将飙升82%，占市场份额的三分之一。这表明，AI基础设施投资正从通用GPU转向更专业的领域。

大多数专家预计，HBM3E 仍将是 2026 年 HBM 市场的旗舰产品。正如 NVIDIA 推出新款“Blackwell Ultra”AI 加速器一样，包括谷歌和 AWS 在内的全球大型科技公司正在扩大其基于 ASIC 的专有 AI 芯片的开发，并选择 HBM3E 作为最佳解决方案。主要研究机构和券商分析师预计，到 2026 年，HBM3E 将占 HBM 总出货量的约三分之二，而 HBM4 的份额将逐步增长。

根据Counterpoint Research的数据，SK海力士在HBM市场保持着主导地位，截至2025年第二季度，其HBM出货量占比高达62%，营收占比达到57%，稳居市场第一。高盛评估认为，“SK海力士至少在2026年之前将保持其在HBM3和HBM3E领域的领先地位，HBM总市场份额将超过50%。”瑞银则强调了该公司在大型科技公司客户中的地位，并指出SK海力士将成为谷歌最新款张量处理单元（TPU）v7p和v7e的首家HBM3E供应商。

SK海力士在HBM3E领域的领先地位自然而然地扩展到了下一代HBM4。这家芯片制造商已在为市场到来做准备，并于去年9月获得了全球首个HBM4量产系统。此外，该公司还通过加强与台积电的封装技术合作、建设清州M15X晶圆厂、建立专门的HBM部门、全球人工智能研究中心以及全球生产基础设施，完成了应对日益增长的AI内存需求的各项准备工作。

因此，SK 海力士有望通过保持其在 HBM3E 领域的市场领先地位，同时积极建立 HBM4 的开发和供应体系，从而确保其独特的竞争地位，使其能够在 2026 年前全面支持两代产品。

瑞银预测，SK海力士将在2026年NVIDIA下一代Rubin平台的HBM4市场占据约70%的市场份额。这表明其目前的领先地位将延续到未来的技术世代。

尽管内存市场超级周期仍在持续，但对价格、供应和地缘政治风险的谨慎态度依然存在。一些市场研究人员和海外媒体认为，由于竞争加剧和产能扩张，血脂芯片价格可能在2026年后进入回调阶段。

此外，后发厂商增加DRAM产量以及全球半导体监管政策也被认为是可能影响长期市场结构的因素。然而，主流分析表明，短期内不太可能出现市场格局的突然转变，因为高性能HBM领域仍然存在显著的技术差距。

最终，2026年的存储半导体市场可以被视为一个过渡阶段，人工智能基础设施的扩张、以HBM3E为中心的需求以及向HBM4的逐步过渡将同时发生。HBM3E预计仍将是人工智能服务器和数据中心的主要存储介质，而包括SK海力士在内的主要厂商正基于其在HBM3E量产方面积累的经验以及与客户建立的合作关系，为平稳过渡到HBM4做好准备。

此外，对HBM的集中投资正在形成良性循环，从而提升通用内存市场的盈利能力。随着资源向HBM转移，通用DRAM的供需平衡正在改善。全球机构投资者预测，到2026年，服务器DDR5模块的需求将与HBM一起构成DRAM市场的两大支柱。预计明年NAND闪存也将增长，主要增长点在于面向人工智能数据中心的eSSD。

2026年被认为是HBM3E引领市场成为黄金标准的元年，而HBM4和通用内存则勾勒出中长期增长轨迹。行业专家和投资公司一致强调，“2026年HBM3E仍将处于市场核心地位，SK海力士将占据AI内存超级周期的中心位置。”

（来源：编译自skhynix）

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