北京
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国家知识产权局信息显示，太原理工大学建筑设计研究院有限公司;太原理工大学申请一项名为“一种氧化镓纳米线/多孔氮化镓异质结及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121261208A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种氧化镓纳米线/多孔氮化镓异质结及其制备方法和应用。本发明在衬底上依次生长GaN缓冲层、u‑GaN层和p‑GaN层，得到基底；在氢气和惰性气体的混合气中，将基底热分解得到多孔氮化镓；在氧气和惰性气体的混合气中，将多孔氮化镓加热，得到氧化镓/多孔氮化镓异质结；在氧化镓/多孔氮化镓异质结表面喷金，在惰性气氛中，将金退火成金颗粒；在氧气和惰性气的混合气中，将上一步的氧化镓层旁置镓源进行加热，得到氧化镓纳米线/多孔氮化镓异质结。制备得到的异质结具有优异的载流子输运特性、光吸收效率以及电荷分离能力，适用于日盲紫外光电探测、光催化、高灵敏度传感器及高功率电子器件等领域。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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