2nm，三雄争霸

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台积电已于 2025 年第四季度正式启动 2 纳米（N2）半导体工艺的量产工作，此举创下行业里程碑 —— 台积电成为全球首家基于环绕栅极（GAA）架构纳米片晶体管技术，提供芯粒（Chiplet）代工服务的晶圆代工厂商。目前，台积电新竹宝山厂区（20 号晶圆厂）与高雄厂区（22 号晶圆厂）的 2 纳米产能正逐步爬坡，为满足 2026 年起持续增长的市场需求做好准备。

台积电董事长魏哲家表示，市场对 2 纳米工艺的客户需求已超出公司当前的供应能力。在近期的财报电话会议上，台积电还披露其 2 纳米芯片的流片量创下历史新高，超过了此前 3 纳米工艺同期的流片规模。为应对这一需求热潮，台积电需在 2025 年底前实现 20 号与 22 号晶圆厂的全面投产。流片完成意味着芯片的设计阶段宣告结束，正式进入量产环节。目前基于 2 纳米工艺的项目数量已超过 3 纳米阶段，不过台积电并未透露具体客户名单。

与台积电在 2 纳米工艺量产上的低调推进不同，英特尔在其等效 2 纳米级别的 18A 工艺上表现得更为高调，多次对外披露该工艺的研发进展。在首席执行官陈立武的主导下，英特尔开放了其亚利桑那州 52 号晶圆厂供媒体参观，并通过投资者沟通会发布了工艺良率与节点研发的最新动态。英特尔首款基于 18A 工艺的处理器 “豹湖”（Panther Lake）预计将于 2025 年底交付，并计划在 2026 年国际消费电子展（CES）上正式发布。这款芯片将成为检验英特尔代工服务（IFS）吸引外部客户能力的关键产品。英特尔副总裁约翰・皮策指出，18A 工艺的良率目标是在 2026 年底或 2027 年初达到行业标准水平。

尽管英特尔积极推进 18A 工艺商业化，三星电子也已于 2025 年 12 月宣布，其基于 2 纳米 GAA 工艺的移动应用处理器 Exynos 2600 正式量产，但两家企业均面临良率提升至商用水平的挑战。目前，台积电仍是全球唯一一家可为外部客户提供 2 纳米代工服务的晶圆厂，在市场竞争中占据显著领先优势。

在台积电庞大的客户体系之外，2 纳米代工市场的外部客户争夺战主要在英特尔与三星之间展开。SemiWiki 的消息源显示，英特尔预计到 2026 年为其 18A 工艺争取到 4 家外部客户，相关产品的量产计划定于 2028—2030 年。不过，在芯片正式流片之前，客户的合作意向仍存在变数。特斯拉首席执行官埃隆・马斯克曾多次提及，公司对采用台积电 N2 工艺和三星 2 纳米工艺的人工智能芯片需求旺盛。但三星能否在这一领域抢占更多市场份额，很大程度上取决于其位于美国得克萨斯州泰勒市的晶圆厂能否提升良率 —— 马斯克本人正对该工厂的生产进度进行直接监督。

在当前的 2 纳米代工市场，台积电占据主导地位，三星暂时处于次要位置。业内观察人士推测，若三星的 2 纳米产能无法满足需求，马斯克或许会将部分订单转移至台积电，或是考虑英特尔的代工服务 —— 尤其是在 2026 年英特尔与特斯拉建立合作关系的情况下。这种局面或将进一步加剧三星在新兴 2 纳米市场的竞争压力。

有报道称，高通与 AMD 正在评估三星的 2 纳米工艺，但二者仍更倾向于采用台积电技术成熟的 3 纳米（N3）与 2 纳米（N2）工艺。与此同时，英特尔正积极争取苹果、高通、亚马逊云科技、微软等行业头部企业，推动其采用 18A 工艺。英特尔计划为 52 号晶圆厂配备至少 15 台极紫外（EUV）光刻机，并力争在 2028 年实现亚利桑那州 62 号晶圆厂的投产，以支撑其 18A 工艺及后续 14A 工艺的 2 纳米 GAA 芯片量产。

英特尔代工业务负责人纳加・钱德拉塞卡兰透露，英特尔下一代 14A 工艺的量产目标定在 2028 年，且该工艺在研发阶段的性能与良率已超过当前的 18A 工艺。至于 14A 工艺的具体发展规划，首席执行官陈立武将根据市场需求情况再做详细披露。

英特尔计划在 2026 年国际消费电子展（CES）上重点展示两款产品：基于 18A 工艺的豹湖（Panther Lake）消费级处理器，以及新一代至强 6+（Xeon 6+）数据中心芯片。这两款产品的推出，凸显出英特尔的核心战略 —— 扩大自身 2 纳米 GAA 工艺的产能规模，降低对台积电代工服务的依赖。

与此同时，全球 2 纳米代工市场的竞争格局已逐渐清晰：英特尔 18A 工艺与三星 2 纳米 GAA 工艺将展开正面角逐，而台积电则专注于稳步扩大产能，以满足全球市场对 N2 工艺的强劲需求。在 2 纳米时代来临之际，尽管竞争对手正试图缩小技术与市场差距，但台积电凭借低调却果断的技术推进，进一步巩固了其在半导体制造领域的龙头地位。

（来源：综合整理自网络信息）

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