晶合集成申请背照传感器相关专利，背照式图像传感器制备，增电子提感光性能

来源：新浪证券-红岸工作室

12月30日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器”的专利。申请公布号为CN121240570A，申请号为CN202511797693.6，申请公布日期为2025年12月30日，申请日期为2025年12月2日，发明人陈维邦，专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司，专利代理师杨明莉，分类号H10F39/12、H10F39/00。

专利摘要显示，本公开涉及一种背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器，涉及集成电路技术领域，包括：提供衬底，于衬底的背面形成沿平行于背面的第一方向，交替排布且导电类型相反的第一半导体层、第一初始光敏叠层；形成沿第一方向交替排布且导电类型相反的第二半导体层、第二光敏层的过程中，刻蚀第一初始光敏叠层以得到第一光敏叠层；第二半导体层位于第一半导体层的顶面；第二光敏层覆盖第一光敏叠层的顶面；形成沿第一方向交替排布且导电类型相反的第三半导体层、第三光敏层。至少能够增加感光区域的电子浓度，提高BSI图像传感器的感光性能。

晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均位于安徽省合肥市。公司是国内领先的12英寸晶圆代工厂商，具有深厚技术积累和多元化工艺平台优势。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务，研发并应用行业先进工艺，为客户提供多制程、多工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，涉及半导体、集成电路、芯片概念板块。

2025年三季度，晶合集成实现营业收入81.3亿元，在行业7家公司中排名第3，与第一名中芯国际的495.1亿元、第二名华虹公司的125.83亿元有差距，低于行业平均数121.23亿元，略高于行业中位数80.69亿元。当期净利润为3.95亿元，行业排名第4，与第一名中芯国际的57.7亿元、第二名赛微电子的15.14亿元差距明显，低于行业平均数8.25亿元，与行业中位数持平。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1电容器结构以及电容器结构的制造方法发明专利公布CN202511794295.92025-12-02CN121240471A2025-12-30井口学、牟田哲也2背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202511797762.32025-12-02CN121240571A2025-12-30陈维邦3背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202511797693.62025-12-02CN121240570A2025-12-30陈维邦4图形化方法及光刻胶结构发明专利公布CN202511784424.62025-12-01CN121237637A2025-12-30赵志豪、李海峰、沈俊明5用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202511746998.42025-11-26CN121218668A2025-12-26方延、张新、郭廷晃6半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202511727063.12025-11-24CN121192052A2025-12-23王文智7半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202511727064.62025-11-24CN121192053A2025-12-23王文智8一种浅沟槽隔离结构及其制备方法发明专利公布CN202511727118.92025-11-24CN121192054A2025-12-23王文智9用于对晶圆进行失焦补偿的方法、半导体器件及相关产品发明专利公布CN202511715014.62025-11-21CN121187086A2025-12-23赵志豪、李海峰、沈俊明、古哲安10半导体结构及其制备方法、高压MOS器件发明专利公布CN202511714324.62025-11-21CN121194489A2025-12-23马翼蕤、蒯照、王少奇11背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202511706458.32025-11-20CN121152344A2025-12-16陈维邦12用于半导体结构的测试方法及测试装置发明专利公布CN202511712552.X2025-11-20CN121142286A2025-12-16田志锋13嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备发明专利公布CN202511704709.42025-11-20CN121171973A2025-12-19梁栋栋、张安、张盖、陈有德、张得亮14一种光刻胶涂布方法发明专利公布CN202511705451.X2025-11-20CN121165399A2025-12-19张仁伟、张祥平15一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202511699262.62025-11-19CN121152289A2025-12-16杨少华、杨昱霖、沈娅、蔡马龙16接触孔的清洗方法及清洗装置发明专利公布CN202511695222.42025-11-19CN121171880A2025-12-19许雨芩、杨昱霖17接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法发明专利公布CN202511695815.02025-11-19CN121171982A2025-12-19朱海龙、罗承先18半导体结构的制备方法发明专利公布CN202511689963.12025-11-18CN121152288A2025-12-16张璐、朱鹏飞、高倩倩、邱爽、游奕廷19背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202511689280.62025-11-18CN121152343A2025-12-16陈维邦20SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法发明专利公布CN202511676037.02025-11-17CN121126770A2025-12-12王文智、刘飞飞21SRAM存储单元、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利公布CN202511676034.72025-11-17CN121126769A2025-12-12王文智、刘飞飞22一种校正光罩布局的方法发明专利公布CN202511676880.92025-11-17CN121142889A2025-12-16赵志豪、李海峰、沈俊明、古哲安23半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202511676224.92025-11-17CN121148992A2025-12-16赵志豪、李海峰、沈俊明24半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202511666098.92025-11-14CN121126858A2025-12-12刘苏涛25晶圆曝光系统及其补偿方法发明专利公布CN202511666454.72025-11-14CN121115428A2025-12-12李海峰、张祥平、赵志豪26半导体结构及半导体结构的制造方法发明专利公布CN202511666676.92025-11-14CN121123118A2025-12-12刘然、郑威、徐华超27芯片失效类型的测试方法及测试电路发明专利公布CN202511673091.X2025-11-14CN121114737A2025-12-12郝永豪、储浩、张翼、孔祥炜、钟敏28光刻胶的去除方法和去除装置以及光刻工艺的返工方法发明专利公布CN202511666449.62025-11-14CN121142926A2025-12-16赵志豪、李海峰、沈俊明、古哲安29半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511649809.12025-11-12CN121099689A2025-12-09朱海龙30半导体结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511649237.72025-11-12CN121099688A2025-12-09运广涛、阮钢、苏圣哲、罗钦贤31半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511652165.12025-11-12CN121099701A2025-12-09刘凯、王维安32半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法发明专利公布CN202511648328.92025-11-12CN121123011A2025-12-12刘苏涛、肖迪33曝光辅助图形的确定方法、装置和计算机设备发明专利公布CN202511649076.12025-11-12CN121115427A2025-12-12刘秀梅、罗招龙34构建三维损伤程度模型的方法、损伤程度评价方法及系统发明专利公布CN202511639568.22025-11-11CN121123052A2025-12-12王冉、林东亿、林祐丞、杨智强、遇鑫遥35背照式图像传感器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511635667.32025-11-10CN121099744A2025-12-09方晓宇、杨昱霖、郭育清、李万宝、郭宜婷36背照式图像传感器的制造方法和背照式图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202511635099.72025-11-10CN121099733A2025-12-09金文祥、陈义元、吴凯、郇小伟37半导体结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511632267.72025-11-10CN121099680A2025-12-09廖学海、明玉坤、邹鹏38晶圆键合方法及晶圆键合结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511633045.72025-11-10CN121096855A2025-12-09张燚39半导体结构、半导体结构的制造方法及显示器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511634358.42025-11-10CN121099847A2025-12-09谢荣源、马丽、陈信全、林滔天、葛成海40掩膜图案的处理方法、掩膜图案的处理系统和掩膜发明专利实质审查的生效、公布CN202511632778.92025-11-10CN121091594A2025-12-09殷诗淇、罗招龙、王康41半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202511632272.82025-11-10CN121126856A2025-12-12李文超、林子荏、张旭、袁晓梅42半导体结构制备方法及半导体结构发明专利公布CN202511632353.82025-11-10CN121126843A2025-12-12潘海燕、明玉坤、廖学海、遇鑫遥43半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511625543.72025-11-07CN121099693A2025-12-09朱会超、刘文彬、蔡富吉44半导体器件及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511621739.92025-11-07CN121099687A2025-12-09叶家顺、曹飞45图像传感器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511628584.12025-11-07CN121099732A2025-12-09叶家顺、崔立加、王冉、余义祥46芯片电池及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511612900.62025-11-06CN121057285A2025-12-02周成47改善翘曲晶圆CDU的方法、曝光方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511613303.52025-11-06CN121091615A2025-12-09马文斌、张祥平48磊晶缺陷的分析方法及分析系统、可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511597831.62025-11-04CN121053139A2025-12-02张利强、林今焕、李建政49多晶圆堆叠结构的处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511599123.62025-11-04CN121054478A2025-12-02周宇芬、郝小强、郑悦50一种半导体器件的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511596104.82025-11-04CN121057325A2025-12-02饶续、宋明明、曹玉娟、马忠祥

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