北京
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有投资者在互动平台向芯动联科提问：“公司于2025.12.19申请一项专利（申请公布号：CN121158720A）一种具有垂直方向缓冲止挡结构的MEMS芯片及其制造方法，请问：这个专利若应用于火箭回收帮助稳定性有多大。”
针对上述提问，芯动联科回应称：“您好，该专利是一种用于在圆片级密封的MEMS芯片腔内形成垂直方向双向缓冲止挡结构，属于芯片设计和制造的技术领域，可以有效避免MEMS可动结构在受到外力冲击时超过位移极限，保障MEMS芯片的工作可靠性。公司始终重视技术创新和知识产权布局。谢谢您的关注。”
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本文源自：市场资讯
作者：公告君
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