北京
12 月 29 日，韩国半导体工程师学会发布的《2026 年半导体技术路线图》，对未来 15 年硅基半导体技术发展作出预测。
三星近期刚推出全球首款 2nm 全环绕栅极（GAA）工艺芯片 Exynos2600。路线图指出，到 2040 年半导体电路制程有望突破至 0.2nm，正式进入埃米时代。不过未来十五年间，行业需实现跨越式突破，通往亚 1 纳米晶圆制程的路上仍存在不少技术瓶颈。据悉，三星已规划 2nm GAA 工艺的升级路径，不仅完成第二代 2nm GAA 工艺节点的基础设计，还计划在两年内落地第三代 2nm GAA 技术（SF2P + 工艺）。路线图预计，2040 年的 0.2nm 制程将采用全新的 CFET 晶体管架构，并搭配单片式 3D 设计。
此外，三星已组建专项团队启动 1 纳米芯片研发，目标在 2029 年实现量产。这些先进制程工艺的成果，将同时应用于 SoC 和 DRAM 领域，其中 DRAM 存储电路制程将从 11 纳米缩减至 6 纳米；HBM 技术也将迎来迭代，堆叠层数从 12 层提升至 30 层，带宽从 2TB/s 跃升至 128TB/s。
在 NAND 闪存领域，SK 海力士已研发出 321 层 QLC 技术。根据路线图预测，随着半导体技术的不断进步，QLC NAND 闪存的堆叠层数未来有望突破至 2000 层。
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