北京
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国家知识产权局信息显示，全磊光电股份有限公司申请一项名为“一种单横模深脊波导CW-DFB激光器及其制备方法”的专利，公开号CN121097501A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请涉及光通信用半导体激光器技术领域，尤其涉及一种单横模深脊波导CW‑DFB激光器及其制备方法，方法包括设计主波导与无源波导，通过耦合共振原理将主脊的高阶模耦合到边脊，边脊不进行电流注入，最终消除主脊的高阶横模；在宽脊波导增大输出功率的基础上，刻蚀掉主脊与边脊之间的量子阱区，同时为保证高阶横模能够耦合到边脊，填充相对于原先量子阱折射率更低的Fe‑InP，提高主脊的横向光学限制因子，保证光束质量的同时降低阈值电流；位于主脊与边脊之间的Fe‑InP填充材料有相对原来的量子阱更高的热导率，能够进一步提高器件的散热能力，增大高温饱和电流，减小信号失真，满足长距离通信对波长稳定性的严苛要求。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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