痛别！王迅院士逝世

（来源：科普中国）

转自：科普中国

12 月 5 日，中国共产党党员，中国科学院院士，复旦大学物理学系教授、博士生导师王迅同志，因病医治无效，于上海逝世，享年 91 岁。

王迅 1934 年 4 月出生于上海，1956 年 7 月加入中国共产党。1952 年进入复旦大学物理学系就读，1956 年本科毕业后，师从谢希德先生，于1960 年以复旦大学物理学系副博士身份毕业，同年留校任教；1978 年获聘复旦大学副教授、1984 年获聘教授、1985 年任博士研究生导师、1996 年担任复旦大学首席教授，1999 年当选中国科学院院士。

王迅院士历任复旦大学半导体物理教研室副主任，微电子教研室副主任，表面物理研究室副主任、主任，应用表面物理国家重点实验室主任、学术委员会主任，复旦大学学术委员会副主任，复旦大学研究生教育指导委员会主任等职。

王迅长期从事半导体物理学和表面物理学的研究工作，在半导体表面与界面的结构和电子态研究、多孔硅发光特性和机理研究、硅基低维量子体系的材料制备以及物理特性和新型器件研究等领域做出了许多创新性成果，在材料、物理和器件方面作出了重要贡献。

他在国际上首次提出了两种 InP 表面的新结构模型，首次在国际上实现多孔硅的蓝光发射，是我国硅锗超晶格和量子点研究的首创者之一。他在国内外学术刊物上发表论文 300 余篇，其中在 SCI 刊物上发表 170 余篇。科研成果荣获国家自然科学奖二等奖，4 个项目获国家教委科技进步二等奖， 3 个项目获国家教委科技进步三等奖。

王迅院士潜心教书育人，始终坚守在教学一线。2002 年已近古稀之年的王迅院士主动请缨，主讲《大学物理（力学、电磁学、光学）》和《固体物理》。他积极推动教学方式改革，推动博士生招生制度改革，为创新人才选拔作出突出贡献，先后培养研究生约 60 人，推动中国半导体物理学和表面物理学跻身国际前沿。

王迅的逝世，是我国半导体物理学和表面物理学领域的重大损失。王迅院士的精神，将激励着一代又一代学人，在探索真理的道路上勇毅前行，续写中国物理事业的辉煌篇章！