天域半导体打破国际垄断 自主研发筑造技术护城河

在全球半导体产业重构与新能源革命深度交织的时代，第三代半导体材料以其独特的性能优势，成为破解传统半导体技术瓶颈的核心密钥。碳化硅作为第三代半导体的核心代表，在高压、高温、高频场景中不可或缺，直接支撑新能源汽车、光伏、智能电网等战略性新兴产业的升级迭代。广东天域半导体股份有限公司，作为中国碳化硅外延片领域的技术先驱与行业领航者，以持续的尺寸技术突破打破国际垄断，以全链条技术可控构建核心壁垒，在国产替代浪潮中扛起行业发展大旗，书写着中国第三代半导体产业的突围传奇。

作为中国为数不多深耕第三代半导体领域的领军企业，天域半导体自成立以来便锚定碳化硅外延片这一关键赛道，始终以技术创新驱动产业升级。外延片作为功率半导体器件的核心原材料，其技术水平直接决定终端产品的性能上限。在国际巨头长期垄断核心技术与市场供给的背景下，天域半导体率先实现全尺寸产品的技术突破与量产落地，构建起覆盖4英寸、6英寸及8英寸的产品矩阵，成为推动行业技术迭代的核心力量。2014年，公司实现4英寸碳化硅外延片量产，为国内早期碳化硅器件研发提供了稳定可靠的本土供应;同年，公司成功研制出十千伏级外延材料，打破了海外对于超高压材料的禁运。这不仅是公司技术上的突破，也是中国半导体材料发展的一重大里程碑。据悉这种超高压级别的材料主要应用在AI数据中心、智能电网等领域，为未来这部分市场发展埋下伏笔;2018年完成6 英寸产品量产，精准匹配市场主流需求，迅速抢占市场份额;2023年成功具备8英寸量产能力，成为国内少数能够量产8英寸碳化硅外延片的企业之一，实现了从“跟跑”到“并跑”再到“局部领跑”的跨越。

尺寸技术和生长厚度的持续突破，为天域半导体的国产替代之路奠定了坚实基础。2024年数据显示，以收入计，公司在中国自制碳化硅外延片市场的份额达 30.6%，以销量计更是高达 32.5%，稳居国内第一;在全球市场中，公司位列中国厂商第三，市场份额分别为 6.7%(收入计)及 7.8%(销量计)，成为全球碳化硅外延片市场中不可忽视的中国力量。尤为值得关注的是，8英寸较于6英寸外延片不仅使单位面积芯片产出提升90%，更通过降低边缘缺陷密度显著提升良率，其毛利率在2025 年前五个月达到 49.8%，充分彰显了大尺寸技术突破的商业价值。这一突破不仅填补了国内技术空白，更打破了海外厂商在高端市场的垄断格局，使国内下游企业得以摆脱对进口产品的依赖，为中国功率半导体产业的自主可控提供了关键支撑。

技术可控是企业抵御行业风险、构建核心竞争力的底气所在。天域半导体深谙核心技术自主可控的战略意义，构建了从研发到生产、从供应链到标准制定的全链条技术体系，打造了难以复制的技术护城河。截至 2025年5月31日，公司累计拥有84项专利，其中发明专利33项、实用新型专利51项，涵盖外延生长工艺、产品测试、清洗技术等关键领域，攻克了基平面位错控制、掉落物缺陷抑制等行业共性难题。在标准制定方面，公司主导或参与起草1项国际标准、13项国家标准、12项团体标准及4项企业标准，以行业标杆身份参与全球技术规则制定，掌握行业发展话语权。

持续加码的研发投入与深度协同的创新生态，为技术迭代提供了强劲动力。2022年至2024年，天域半导体研发开支逐年递增，分别达到 2920 万元、5530 万元及6100万元，持续的投入使其在掺杂浓度均匀性、外延层厚度控制、芯片良率等关键指标上达到国际先进水平。公司还承担或参与3项国家级、7项省市级重点研发项目，与科研机构、高校及上下游企业形成协同创新生态，持续巩固技术领先优势。更值得关注的是，天域半导体通过推进供应链国产化，大幅降低了对海外原材料的依赖，截至 2025年5月，来自中国供应商的采购额占原材料总采购额的99.8%，实现了核心供应链的自主可控，有效抵御了国际贸易政策变动带来的风险，为技术落地与产能扩张提供了稳定保障。

从技术突围到产业引领，从天域半导体的发展轨迹中，我们清晰看到了中国第三代半导体产业的崛起之路。作为行业发展的推动者，天域半导体不仅以自身技术突破打破国际垄断，更以全链条自主可控的实践为国产替代提供了范本，以生态赋能推动整个行业协同发展。在全球新能源革命与半导体产业重构的双重机遇下，天域半导体将继续以技术为核心、以创新为引擎，持续突破尺寸限制与技术瓶颈，巩固国产替代成果，推动中国碳化硅外延片行业向更高质量、更高水平迈进，为中国战略性新兴产业的自主可控与全球竞争力提升提供坚实支撑。

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