前言
近期,充电头网了解到罗姆目前推出GNE1008TB与GNE1040TB两款150V低压氮化镓功率器件,面向服务器电源、PD快充次级同步整流以及人形/四足机器人关节电机驱动等前沿应用,为电源系统工程师带来更丰富的设计选择。
罗姆推出的低压GaN器件相比传统硅MOSFET,具备更低导阻、更快的开关速度以及更优的高频特性,能够在更高效率与更小体积之间取得平衡,特别适用于追求高效、高功率密度的场景。此外,上述两款器件还采用DF5060封装,可直接PIN TO PIN替换同封装硅MOS,降低设计成本,具备更优的适配性。
罗姆低压GaN
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充电头网了解到,罗姆推出多款150V低压氮化镓,导阻分别为8.5mΩ和40mΩ,并均为DFN5060封装。
罗姆GNE1008TB
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罗姆GNE1008TB是一款栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT,属于EcoGaN系列产品,利用该系列产品的低导通电阻和高速开关的特性,有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸;即使在1MHz的高频段,电源效率也可达到96.5%以上。另外,通过采用DFN5060封装,实现出色的散热性能,并易于流水线自动化生产。
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罗姆GNE1008TB这款低压氮化镓器件非常适合半桥拓扑、次级同步整流、D类音频放大器、红外LED以及激光二极管驱动等场景应用。
罗姆GNE1040TB
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罗姆GNE1040TB是栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT,导阻仅为40mΩ,并无反向恢复电荷。该产品属于EcoGaN系列,该系列产品通过更大程度地激发低导通电阻和高速开关性能,助力应用产品更节能和小型化。GNE1040TB的电源效率在1MHz的高频段也高达96.5%以上。另外,该产品采用支持大电流且具有出色散热性的DFN5060封装,便于流水线成产。
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罗姆GNE1040TB这款低压氮化镓器件同样非常适合半桥拓扑、次级同步整流、D类音频放大器、红外LED以及激光二极管驱动等场景应用。
充电头网总结
随着高频、高效率和小型化电源设计的需求不断提升,低压GaN器件正在逐步取代传统硅MOSFET,成为高性能电源系统的重要选择。罗姆推出的GNE1008TB与GNE1040TB两款150V低压GaN HEMT,凭借低导通电阻、高速开关特性,为工程师在半桥拓扑、次级同步整流、电机驱动、D类音频放大器、红外LED及激光二极管驱动等应用场景提供了可靠的解决方案,为高效电源设计带来了更多可能性。
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