三巨头齐聚 HBF 新赛道，“HBM 之父”预测英伟达将收购内存厂商

IT之家 11 月 12 日消息，集邦咨询 Trendforce 昨日（11 月 11 日）发布博文，报道称“HBM 之父”金正浩预测，AI 时代的权力正从 GPU 转向内存，高带宽闪存（HBF）将成为继 HBM 之后的新战场。

IT之家注：金正浩是韩国科学技术院（KAIST）电气工程学系的教授，他被广泛认为是将高带宽内存（High Bandwidth Memory，HBM）从概念变为现实的关键人物。

在 HBM 相关的多项关键技术领域，他做出了全球认可的创新研究，包括硅通孔（TSV）、中介层（interposer）、信号线设计（SI）和电源线设计（PI）。

在做客 YouTube 频道节目中，金正浩语出惊人：“在 AI 时代，权力天平正从 GPU 转向内存。”他认为，内存将在人工智能时代扮演愈发关键的角色，甚至预测英伟达未来可能收购一家内存公司。

此外，他还强调了高带宽闪存（High Bandwidth Flash，HBF）的崛起，预计该技术将在 2026 年初取得新进展，并于 2027 至 2028 年间正式亮相。

随着传统硬盘（HDD）行业艰难地向高成本的热辅助磁记录（HAMR）技术转型，近线固态硬盘（Nearline SSD）正凭借其成本效益成为热门替代方案。

与此同时，HBF 被视为突破 AI 集群存储容量瓶颈的关键技术。在 AI 推理时代，内存容量变得至关重要，其中键值缓存（KV Caching）等技术直接影响 AI 模型的响应速度。因此，金正浩相信 HBF 将与 HBM 并驾齐驱，成为下一代主流内存技术。

从概念上看，HBF 与 HBM 有相似之处，两者都利用硅通孔（TSV）技术来垂直堆叠多层芯片。但不同的是，HBF 基于 NAND 闪存构建，因此在容量和成本上具备显著优势。

金正浩强调，尽管 NAND 闪存速度慢于 DRAM，但其容量可超过后者 10 倍。通过堆叠成百上千层，HBF 能够满足 AI 模型的巨大存储需求，堪称“HBM 的 NAND 版本”。

行业巨头已迅速行动。SanDisk 与 SK 海力士已于 2025 年 8 月签署谅解备忘录（MoU），旨在共同制定 HBF 技术规范并推动标准化。他们的目标是在 2026 年下半年发布 HBF 内存样品，首批采用 HBF 的 AI 推理系统预计于 2027 年初问世。

值得注意的是，在 10 月中旬举行的 2025 年 OCP 全球峰会上，SK 海力士已率先展示了其全新的“AIN Family”存储产品系列，其中就包括采用 HBF 技术的 AIN B 系列。

三星电子也已启动自有 HBF 产品的早期概念设计工作，希望利用其在高性能存储领域的研发经验，满足数据中心对高带宽闪存日益增长的需求。不过，该项目尚处初期阶段，具体规格和量产时间表均未最终确定。

展望未来，金正浩将 AI 的多层级内存体系比作一个智能图书馆：

• GPU 内的 SRAM 是桌面笔记，速度最快但容量最小；
• HBM 是旁边的书架，用于快速存取和计算；
• 而 HBF 则是地下书库，负责存储海量 AI 知识并持续为 HBM 输送数据。

他预测，未来 GPU 将同时集成 HBM 与 HBF，形成互补配置，标志着计算与存储融合的新纪元。