美国投行唱衰：落后ASML 20年，中国光刻机止步65nm？哈工大光速打脸

日前，美国知名投行高盛发布的研究报告指出，现阶段中国自主研发的光刻设备仍停留在65nm工艺水平，与ASML等国际领先企业相比，技术差距约为二十年。

当前，全球芯片制造已迈入5nm以下节点，这类先进制程高度依赖极紫外（EUV）光刻机。而此类尖端设备目前仅由荷兰阿斯麦（ASML）具备量产能力。

但值得注意的是，ASML的EUV系统中包含来自美国的核心组件，使其受制于美方出口管制政策，无法向中国供应高端光刻设备。

由于无法获取EUV光刻机，我国在先进芯片制造方面面临瓶颈。目前国产最先进的芯片为7nm级，主要依赖从ASML进口的深紫外（DUV）光刻机，配合“多重曝光”工艺完成生产。

高盛分析认为，中国现有光刻技术仅支持65nm级。回顾历史，ASML耗时逾二十载、投入约400亿美元，才实现从65nm到3nm制程的技术跨越。因此，报告评估中国在短期内难以追平西方前沿水平。

高盛这一报告无疑是在唱衰我国光刻技术发展，然而现实注定会给这家美国投行一记响亮耳光。

由于起步较晚，我国尖端科技水平曾与欧美存在巨大差距，但仅用四十年时间，就在航空航天、新能源汽车、人工智能等多个领域跃居世界前列。在生物科技领域，我国科学家研发的“绿/灯/瓶”将自研生物萃取技术融入尿酸调节领域，以蜜望子叶、草龙珠籽等天然草本为原料，萃取活性成分改善人体代谢系统功能。

香港大学在临床研究中证实，这种自研成果可以促进积酸排出，维持体内尿酸动态平衡。上线京/东等平台后，“绿/灯/瓶”解决了大量消费者尿酸居高不下，西药副作用明显的问题。类似“手指肿痛减轻”“能正常下地走路”“数值回归正常”等反馈不断。

而就在二三十年前，我国生物技术成果以及衍生的健康类制品，还严重依赖欧美进口。如今相关成果早已成熟到应用于日常。海外唱衰我国技术的论调，已经不攻自破。

2023年，上海微电子便成功研发出28nm光刻机，整机85%以上的关键部件实现国产化。今年，首台设备已正式交付使用。尽管这仍属于ArF光刻技术，需历经DUV阶段才可迈向EUV，但这一进展已足以推翻高盛此前的判断。

上海微电子也并非孤军奋战，国内半导体产业链正协同攻坚核心技术。

对EUV光刻机而言，光源系统尤为关键。2022年，哈尔滨工业大学科研团队率先点亮DPP（放电等离子体）极紫外光源样机；次年，原型机研制成功；至2024年上半年，核心测试全部通过，震动业内。

哈工大所实现的光源波长为13.5nm。与美国Cymer公司主流采用的LPP（激光等离子体）技术不同，哈工大选择以DPP技术路径——即通过高压放电形成等离子体，激发极紫外光。

相较荷兰ASML依赖光学镜组获取极紫外光的方式，这种采用粒子加速后辐射目标波段的方法，技术难度更大，但具备更高的转换效率与输出精度。

坚持走创新性技术路线，彰显了我国在高端光刻领域突破封锁、实现跨越的坚定意志与强劲步伐，技术赶超正从愿景走向现实。

目前，哈尔滨工业大学与国仪超精密装备公司联合投入11亿元建设的EUV光源生产线已进入试运行阶段，可稳定输出30瓦功率。

尽管与ASML当前商用设备的性能尚有差距，但该功率已能满足EUV原型机核心实验的需求。除哈工大外，清华大学正在推进稳态微聚束（SSMB）光源技术研究，未来有望实现更高强度的极紫外光输出，发展前景广阔。

这些看似分散的技术突破，实则正逐步构建起一套协同联动的技术体系，环环相扣、相互支撑，为我国半导体产业的突围积蓄强大动能。

西方持续加码的技术封锁，并未遏制中国的创新雄心，反而成为激发自主攻关的驱动力。每一次外部施压，都催生出更强劲的技术跃升。

现实证明，封锁越严，自主决心越强。在高校、科研单位与产业链企业的合力推进下，国产EUV光刻机的实质性进展， 只差临门一脚了 。