2026年，DRAM怎么走？

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

DRAM市场的HBM比例将从2023年的8%扩大到2025年的33%。

全球最大的半导体存储器和存储盛会——“存储器和存储的未来”（FMS）于2025年8月5日至8月7日（美国时间）在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行。FMS包含主题演讲、综合讲座、展览等内容。

近日，主题演讲视频及常规演讲的PPT已在FMS官网发布。TrendForce资深副总裁Arvil Wu 的演讲题目是“探索未来：DRAM市场与技术展望”。他具体预测了2026年DRAM市场和技术的趋势。

HBM 在 DRAM 市场的份额快速增长

HBM（市场）增长将由AI驱动。根据列出结论的幻灯片，DRAM市场（价值基础）的HBM比例将从2023年的8%扩大到2025年的33%。

Wu在另一张幻灯片中还解释了HBM占比的趋势。他将DRAM市场划分为销售额（销售额）和内存容量（位当量出货量）。他估计，到2024年，HBM产品将占DRAM市场的19%（销售额）与5%（位当量出货量）。这表明HBM产品的每比特成本将显著高于所有DRAM产品的平均每比特成本。

预计2025年HBM占销售额比重将提升至33%，位当量出货量比重将提升至8%。2026年，HBM占销售额比重将进一步扩大至41%，位当量出货量比重将提升至9%。

全球 DRAM 市场 HBM 产品销售额及位当量出货量占比（2024-2026）

几乎所有HBM产品都用于AI（人工智能）。具体来说，HBM产品用作AI芯片模块的主存储器。英伟达、AWS（亚马逊）、谷歌和AMD这四家自主研发AI芯片的公司占据了HBM需求的95%。

2025 年的主流产品将是 HBM3E（HBM3e）。一些 AI 芯片公司将使用 HBM3 或 HBM2E（HBM2e）。2026 年的主流产品仍将是 HBM3E（HBM3e）。不过，堆叠的 DRAM 芯片（核心芯片）数量将从 8 个增加到 12 个。HBM3 和 HBM2E（HBM2e）也将消失。取而代之的是使用 HBM4 代数的 AI 芯片。NVIDIA 在 HBM4 代数方面处于领先地位。

四大AI芯片厂商HBM需求占比及HBM代际趋势（2025-2026）

DDR5 6400MT/s 将成为主流

三大 DRAM 制造商 SK 海力士、三星电子和美光科技自 2025 年起都将重点转向 HBM 产品，竞争将进一步加剧。SK 海力士预计，到 2026 年，HBM 晶圆加工量将占其所有产品晶圆加工量的最大比重。

DRAM供应商将进一步改进其制造工艺，并逐步停止使用传统制造工艺的产品出货。对于DDR5代16Gbit DRAM，三大供应商正在加紧在2025年至2026年间量产“1b/1beta代”和“1c/1gamma代”。数据传输速度为 6400MT/s 的 DDR5 代产品将在 2025 年成为主流产品，速度为 7200MT/s 至 8800MT/s 的更高速型号计划于 2026 年下半年开始量产。

2025年，HBM和DDR系统的DRAM价格均上涨或持平。然而，到2026年上半年，随着产能配置重回DDR系统，维持价格的能力将会减弱。此外，即使是HBM系统，随着量产技术的日益成熟，HBM3E代产品的制造成本下降，人们也担心2026年初价格将会下跌。

据《韩国经济日报》报道，三星电子、SK海力士等主要内存供应商，将在今年第四季度继续向客户调整报价。幅度上，包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30%，从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。

整体而言，本轮涨价幅度略高于预期。早在9月下旬，三星电子便已发出第四季度提价通知，当时的计划是将部分DRAM价格上调15%至30%，NAND闪存价格上调5%至10%。而回到当下，根据花旗集团和摩根士丹利在其半导体行业分析报告中所预测，第四季度DRAM平均售价将上涨25-26%，比上一季度上涨10%以上，涨价热潮或进一步加剧。

需要承认，存储芯片行业正加速迈入“超级周期”几乎已成为市场不争的共识。如存储模组大厂威刚董事长陈立白判断，第四季度仅仅是存储严重缺货的起点，明年存储产业将继续处于供货吃紧状态。

对存储芯片供应趋紧的预判则进一步加剧了市场的囤货行为。另据《朝鲜日报》报道，由于担心DRAM短缺，几家领先的国际电子和服务器公司正在囤积内存，并与三星和SK海力士洽谈签订2至3年长期供应协议，与以往按季度或年度签订合同的传统形成鲜明对照。

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