北京
金融界2025年8月19日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120511190A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；对所述基底进行注入操作，在所述基底内形成掺杂区，其中，对所述基底进行注入操作的步骤包括：对所述基底进行至少2次注入；任意相邻2次注入之间，在平行所述基底的表面的平面内转动所述基底。任意相邻2次注入之间，在平行所述基底的表面的平面内转动所述基底，使所形成掺杂区在平行所述基底的表面的平面均匀横向扩散，平抑机台注入角度浮动对掺杂浓度的影响，能够有效提高形成掺杂区工艺的稳定性，能够有效提高所形成掺杂区的掺杂浓度均一性。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目256次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息382条，此外企业还拥有行政许可7个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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