金融界2025年8月19日消息,国家知识产权局信息显示,浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN120511190A,申请日期为2025年06月。
专利摘要显示,一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供基底;对所述基底进行注入操作,在所述基底内形成掺杂区,其中,对所述基底进行注入操作的步骤包括:对所述基底进行至少2次注入;任意相邻2次注入之间,在平行所述基底的表面的平面内转动所述基底。任意相邻2次注入之间,在平行所述基底的表面的平面内转动所述基底,使所形成掺杂区在平行所述基底的表面的平面均匀横向扩散,平抑机台注入角度浮动对掺杂浓度的影响,能够有效提高形成掺杂区工艺的稳定性,能够有效提高所形成掺杂区的掺杂浓度均一性。
天眼查资料显示,浙江创芯集成电路有限公司,成立于2020年,位于杭州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析,浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目256次,财产线索方面有商标信息14条,专利信息382条,此外企业还拥有行政许可7个。
本文源自:金融界
作者:情报员
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