北京
金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，中芯南方集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120435052A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底内形成若干第一隔离结构；对衬底进行图形化，形成基底以及基底上的若干鳍部，第一隔离结构位于基底上，且第一隔离结构沿平行于基底表面且垂直于鳍部的延伸方向贯穿鳍部，且第一隔离结构的表面高于或齐平于鳍部顶部；这种形成方法在形成基底以及鳍部之前，就在衬底内形成第一隔离结构，可以减少形成第一隔离结构过程中图形缺失或者损坏的缺陷；同时在整个衬底上没有进行任何处理工艺时就形成第一隔离结构，无需进行栅极清除，由于表面图形差异带来的工艺负载就大大减少，增加了半导体结构的间隔效果稳定性，从而减少相关良率的损失，具有较广泛的适用范围。
天眼查资料显示，中芯南方集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本650000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯南方集成电路制造有限公司参与招投标项目146次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息104条，此外企业还拥有行政许可407个。
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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