北京
金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，杭州芯迈半导体技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120379311A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，器件包括：半导体层，所述半导体层包括相对的第一表面和第二表面；栅极结构，位于所述半导体层的第一表面上，所述栅极结构包括栅极导体和栅介质层，所述栅介质层包围所述栅极导体并分隔所述栅极导体与所述半导体层；极板区，位于所述半导体层中，其中，所述栅极导体在所述半导体层的第一表面上的投影与至少部分所述极板区重合；所述半导体器件包括栅漏电容，所述栅漏电容包括所述栅极导体、所述极板区以及位于所述栅极导体和所述极板区之间的栅介质层。
天眼查资料显示，杭州芯迈半导体技术有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州芯迈半导体技术有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息156条，此外企业还拥有行政许可8个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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