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金融界2025年7月26日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市楠轩光电科技有限公司;香港中文大学（深圳）申请一项名为“一种具有刻蚀速率原位监控功能的离子束刻蚀系统及刻蚀方法”的专利，公开号CN120376391A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供了一种具有刻蚀速率原位监控功能的离子束刻蚀系统及刻蚀方法，该离子束刻蚀系统配置有可90°偏转的载物台以及可靠近或远离载物台移动的电学测试探测元件，通过该刻蚀方法可以不关闭离子源、不取出样品，通过原位测量样品表面电阻，即可精确监测刻蚀深度，及时降低刻蚀速率，更适于流片过程。该离子束刻蚀系统及刻蚀方法以样品表面电阻检测替代溅射物光谱监测，测试灵敏度更高且系统成本更低，极大提升了磁隧道结制备中的刻蚀精度，在防止样品过度刻蚀的同时，还能确保样品层厚度保持一致、电阻分布均匀，实现了大容量及小尺寸SOT‑MRAM存储器的高成功率制备。
本文源自：金融界
作者：情报员
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