北京
金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“降低超快恢复二极管产品不良率的拉晶方法”的专利，公开号CN120311310A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明涉及单晶硅生产技术领域，尤其涉及一种降低超快恢复二极管产品不良率的拉晶方法，该方法在等径过程中，当等径长度大于900mm时，将单晶炉的炉压从12.33±0.6kPa开始进行缓慢下降，并保证在等径长度达到1000mm时，炉压刚好下降至11±0.5kPa；当炉压降低时，掺杂剂从硅熔体中的挥发损失会随之提升，进而降低掺杂剂的掺杂效率，从而降低晶棒中的掺杂剂浓度；掺杂剂的浓度会影响晶棒内的载流子浓度，掺杂剂的浓度降低会降低晶棒内的载流子浓度，而晶棒内载流子浓度的降低会使晶棒的电阻率提高；而晶棒的电阻率与超快恢复二极管的正向压降呈正比，即通过降低等径过程中的炉压，能够提升超快恢复二极管的正向压降，进而降低超快恢复二极管正向压降过低的出现频率。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息288条，此外企业还拥有行政许可24个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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