北京
分享至
金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“具有位于支撑柱结构上方的层接触过孔结构的无阶梯三维存储器器件及其形成方法”的专利，公开号CN120323100A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于存储器开口中并且包括位于该导电层的层级处的存储器元件的竖直堆叠和竖直半导体沟道；层接触过孔结构，该层接触过孔结构接触该导电层的第一子集内的第一导电层并且竖直延伸穿过该导电层的覆盖在该第一子集上面的第二子集；和支撑柱结构，该支撑柱结构位于该层接触过孔结构的底表面下方。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
