东方晶源亮相2025集微半导体大会，展现电子束量测检测技术

2025第九届集微半导体大会于7月3日至5日在上海张江科学会堂盛大启幕，大会以"智链未来·芯创无限"为主题，开启中国半导体产业生态协同发展的新篇章。同期举办的“集微半导体展”全方位呈现了全球半导体前沿产品创新成果与技术趋势。作为国内一体化良率提升解决方案领军企业，东方晶源微电子科技（北京）股份有限公司（以下简称“东方晶源”）带来旗下新一代电子束量检测设备产品矩阵的最新信息，展现出面向先进工艺的电子束量测检测技术的硬核实力。值得关注的是，其全新研发的高能电子束设备（HV-SEM）已取得重大进展，标志着东方晶源在前道电子束量检测设备四大核心领域已完成全面布局，持续夯实在国内该赛道的领跑地位。

东方晶源旗下新一代电子束缺陷检测设备（EBI）SEpA-i635产品相较于前代机型SEpA-i525应用场景更广，检测能力和处理速度均获显著提升，综合性能可对标同类型国外先进机台。在核心的电子光学系统上，SEpA-i635采用了东方晶源全新开发的超大电流预充电功能（微安级）和大电流成像技术（百纳安级），最大束流实现量级跃升，使得SEpA-i635可检测到先进存储晶圆上复杂结构的电性缺陷，检测能力已成功通过产线验证。同时，通过对扫描控制系统、电子探测器，以及高速DPU系统在图像数据处理和缺陷识别的全面升级，检测速度较前代产品提升3倍以上。

电子束缺陷复检设备（DR-SEM）方面，东方晶源新一代产品SEpA-r655的高分辨电子光学系统采用5通道电子成像技术(4 side detector+1 top detector)，不仅显著提升缺陷立体成像效果，而且能表征材料衬度，可实现对表面和亚表面晶圆缺陷的高分辨率成像和深层信息检测。电子光学系统优化后，其高景深成像能力得到提升，可满足高深宽比结构检测需求；大视场（毫米级）成像能力则满足晶圆边缘斜面成像分析需求。此外，SEpA-r655搭载DUV显微模组，可提升设备无图案晶圆检测能力，并具备自动缺陷元素成份分析能力等。全新硬件平台支持新兴化合物半导体检测，能够自适应处理不同厚度的晶圆。同时，通过自动对焦硬件模组迭代及软件算法流程优化，检测速度较前代产品提升2倍以上。

正是基于SEpA-r655性能的全面提升，在本届集微半导体大会的“第三届集微半导体制造峰会”上，该产品斩获峰会颁发的“产业链突破奖”，产品力得到业界权威认可。

关键尺寸量测设备（CD-SEM）新机型SEpA-c505则搭载全新高速传片平台，可满足更高产能需求。设备集成全新自研的电子光学系统（EOS），成像分辨率和量测重复精度实现双重突破，技术参数比肩12吋CD-SEM国际主流产品。同时，全新的软件系统设计更符合用户使用习惯，大大提高用户友好性，并支持多种新类型量测算法，可满足先进制程的更高阶量测需求。

尤为值得关注的是，东方晶源在本次大会首次对外正式披露其新产品高能电子束设备（HV-SEM）的研发进展。该设备预期具备穿透晶圆深层的“透视”成像能力，可精准量测深孔、沟槽等结构的关键尺寸（HV CD）、均一性（CDU）及套刻精度（In-die SEM Overlay），技术覆盖3D-NAND、DRAM及14nm及以下逻辑制程。其搭载的自研EOS具备40KeV以上着陆能量，达到同类设备国际先进水平。随着HV-SEM设备研发取得重要进展，东方晶源实现在前道电子束量测检测四大核心领域的全面布局，技术壁垒与产品矩阵优势得以集中彰显。作为国内最早布局者之一，东方晶源也将继续领跑国内电子束量测检测产业的发展。

在同期举办的“第三届集微半导体制造峰会暨产业链突破奖颁奖典礼”上，东方晶源创新技术研究院院长孙伟强博士还发表了《面向先进工艺的电子束量测检测技术》主题演讲，全面系统阐释了电子束量测检测技术的演进趋势、在先进工艺迭代中的重要价值，及其在半导体制造国产化进程中的战略意义。

除硬件设备外，东方晶源持续深化技术生态布局，自主研发的计算光刻软件（PanGen）、严格光刻仿真软件（PanGen Sim）、良率管理软件（YieldBook）等产品填补多项国内空白。基于上述点工具打造的一体化良率优化平台（HPO），为芯片从设计到制造各环节提供系统化优化解决方案，有力推动我国集成电路制造产业高质量发展。

从电子束量测检测到计算光刻软件，从点工具到系统方案，东方晶源已逐步构建起完整的良率提升技术生态。未来，东方晶源将持续加大研发投入，深耕核心技术攻关，助推中国半导体设备产业向价值链高端迈进，并为我国在全球半导体产业竞争格局中的自主可控发展注入强劲动能。