北京
金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司取得一项名为“一种具有嵌入式漏源的VDMOSFET器件”的专利，授权公告号CN223080384U，申请日期为2024年06月。
专利摘要显示，本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有嵌入式漏源的VDMOSFET器件，包括多个相互并联排列的MOS元胞，所述MOS元胞包括漏极、衬底层、扩散层、栅极、金属源极、P阱层以及N阱层，其中衬底层的底层通过离子注入形成隔绝N阱层；单个所述MOS元胞结构中衬底层制备中采用两侧少量中间多量的离子注入形成中间凸起两侧低洼的形状；所述栅极表面沉积有隔绝氧化层，所述漏极与隔绝N阱层、衬底层均欧姆接触，所述金属源极与重掺杂N阱层欧姆接触。本实用新型通过在衬底层的内部离子注入形成隔绝N阱层，由于隔绝N阱层的电荷阻力大于衬底层的电荷阻力，在栅极接入门极电压之后，其栅极-漏极的最小路径不会轻易被电荷击穿。
天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目16次，专利信息147条，此外企业还拥有行政许可2个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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