北京
金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，龙腾半导体股份有限公司申请一项名为“一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN120282501A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，属于半导体领域，该器件引入了P型深掺杂区和肖特基沟槽，使得：当器件处于反向耐压状态时，利用P型埋层、N‑型第一碳化硅外延层、P型深掺杂区以及N‑型第二碳化硅外延层作为栅氧保护结构，横向和纵向的栅氧保护结构共同耗尽以保护栅氧化层，降低栅极拐角处的电场强度；当器件发生雪崩击穿时，流过P型深掺杂区之后通过肖特基沟槽内部的源极金属流入源极，雪崩电流几乎不会流经第一P型体区后进入N+型源区最后进入源极金属，降低了寄生三极管开启的风险；肖特基沟槽底部的源极金属与N‑型第二碳化硅外延层形成肖特基接触，使得器件集成了肖特基结构，改善了器件反向恢复性能。
天眼查资料显示，龙腾半导体股份有限公司，成立于2009年，位于西安市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本16126.1111万人民币。通过天眼查大数据分析，龙腾半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息152条，此外企业还拥有行政许可6个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
