北京
金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“一种半导体器件的形成方法及半导体器件”的专利，公开号CN120264831A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件的形成方法及半导体器件，该方法包括：向预设基底沉积具有高介电常数的栅氧化层；在沟槽侧壁形成可分解薄膜侧壁层；沉积金属栅电极材料在沟槽内形成金属栅电极，去除层间介质层上方的栅氧化层；沉积多孔薄膜层，刻蚀沟槽两侧侧壁的栅氧化层以及与栅氧化层接触的层间介质层，并填充金属形成与源漏有源区接触的接触孔电极；进行退火工艺使可分解薄膜侧壁层分解并通过多孔薄膜层挥发，使接触孔与金属栅电极之间的可分解薄膜侧壁层形成空气层。本发明将接触孔与金属栅电极之间的高介电常数的栅氧化层替换为低介电常数的空气层，降低了金属栅电极和源漏接触孔电极之间的寄生电容，从而降低了RC延迟。
天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1013950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息1条，此外企业还拥有行政许可6个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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