三星搅动芯片江湖

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过去几年，三星因为在HBM上的碰壁，晶圆代工的落后，导致公司在半导体业务上屡屡受阻。公司业绩也在这种情况下屡屡受挫，甚至在DRAM上的多年领先，也被同城的竞争对手SK海力士反超，晶圆代工方面也被台积电越拉越远，甚至连micron也通过在HBM上的豪赌，给他们带来了极大的压力。

但作为一家拥有雄厚资本的玩家，三星正在做出一系列调整，似乎正在给芯片行业带来新的动能。

1.4nm决定延期

三星电子晶圆代工部门正式宣布推迟1.4纳米（nm）半导体的量产，并将量产目标定在2029年，比之前晚了两年。这可以被解读为，为了取代推迟1.4纳米的量产，三星电子试图通过提高2纳米或更高工艺的完善度、提高运转率来提高盈利能力。三星电子1日在首尔瑞草区三星金融园区面向合作伙伴举办的“SAFE Forum 2025”上分享了这一战略。据悉，晶圆代工部门副总裁兼设计平台开发负责人申钟信在宣布这一消息时，将1.4纳米工艺的引入日期定为2029年。

三星电子此前曾在2022年宣布，将从2027年开始量产1.4纳米半导体，但这一时间已进行调整。这比其竞争对手台积电宣布的2028年1.4纳米量产目标日期晚了一年。

这被解读为三星晶圆代工（Samsung Foundry）应对当前因开工率下降而出现亏损局面的举措。据估计，仅去年一年，由于主要客户退出先进制程导致开工率下降，三星晶圆代工就出现了4万亿韩元的亏损。

因此，2㎚（SF2）制程将按原计划于今年进行量产，但此后技术路线图已进行修改。到2028年，三星计划将专注于稳定2㎚制程，例如SF2P（第二代）和SF2X（第三代）。

此外，该公司计划通过提高4、5和8纳米工艺的运营率来确保盈利能力，这些工艺的技术已经相对稳定。为此，据报道，该公司已要求合作伙伴专注于开发设计资产（IP），以提高工艺完善度并吸引客户。采用该工艺的Telechips和Rebellion也于当天宣布了与三星代工厂的合作案例。

三星代工厂一直在与台积电争夺先进工艺“全球第一”的头衔。该公司还取得了一些成果，例如在2016年实现了10纳米工艺的量产，并在2022年实现了3纳米工艺的量产，领先于台积电。然而，该公司在工艺完善度方面被评价为落后。

一位业内人士表示：“三星代工厂在工艺竞争力方面不如台积电”，并且“调整1.4纳米工艺的进度计划，是一种专注于提升实际代工业务而非争夺全球第一的策略。”

搅动HBM江湖

三星电子DS部门负责人（副董事长）全永铉最近访问了Nvidia总部，讨论为GB300 Blackwell Ultra供应高带宽内存（HBM）3E 12层。

据《首尔经济日报》报道，Jun上周访问了硅谷，与英伟达就HBM3E 12层芯片的供应进行谈判。此次访问距离他五月初的上次访问不到两个月。虽然尚未确认英伟达首席执行官黄仁勋是否出席了此次会谈，但据报道，双方就HBM3E 12层芯片的质量认证和明年的供应可能性进行了具体讨论。

一位知情人士透露：“三星强调，其基于第四代10纳米级DRAM（1a）的HBM3E 12层存储器的质量并不逊色于竞争对手，并讨论了Blackwell Ultra的供货可能性，Blackwell Ultra将于明年量产。” 该消息人士补充道：“三星电子内部期待着积极的成果，因为其质量在数值上并不逊色，而且他们已经与包括AMD在内的其他公司达成了供货协议。”

近日，三星电子正式宣布为AMD的AI加速器MI350X系列供应HBM3E 12层显存。随着MI350X系列表现出超出预期的性能，市场对AMD性能的期待值不断提升，而对三星电子HBM3E 12层的疑虑也逐渐消散。因此，三星电子越来越相信英伟达的质量认证只是时间问题，并且其性能不会出现任何缺陷。此举被解读为强调了明年量产的可能性。

Nvidia 计划于今年年底开始出货已投产的 Blackwell Ultra。Blackwell Ultra 预计将于明年成为 Nvidia 的主力人工智能 (AI) 加速器，其 HBM3E 12 层显存的初始供货合同已与 SK Hynix 和 Micron 敲定。

预计 Blackwell Ultra 不仅明年需求将持续增长，后年也同样如此。这是因为下一代 Vera Rubin 的初始产量极有可能非常有限。事实上，Blackwell 的前身 H100 Hopper 迄今为止销量依然稳定。最终，长期供应比例，而非仅仅是初始产量，对 HBM 的最终销量至关重要。

据报道，英伟达正在推迟2026年的最终合同。这也是为什么今年正式宣布HBM售罄的SK海力士和美光科技不愿透露明年的售罄情况。半导体行业分析称，三星电子的存在是英伟达态度冷淡的原因。在HBM供应持续短缺的背景下，如果三星电子成为HBM3E 12层存储器的第三大供应商，英伟达将在与SK海力士和美光科技的价格谈判中获得优势。

一位业内人士表示，“据悉，SK海力士为Nvidia提供的12层HBM3E平均售价（ASP）比8层版本高出约60%”，并补充道，“从Nvidia的角度来看，如果三星电子的HBM质量令人满意，就没有理由不获得供应，因为这会在供应商之间引发价格竞争。”

据报道，出于同样的原因，Nvidia 正在推迟 HBM4 的采用计划。该技术将用于 Vera Rubin，预计明年年底出货。SK 海力士已于 3 月交付 HBM4 样品，美光公司于 6 月交付，而三星电子计划于 7 月或 8 月交付样品。Nvidia 正在推迟做出决定，直至收到三星电子的样品。

三星电子正全力提升 HBM4 的质量。SK 海力士和美光的 HBM4 基于第五代 10nm 级 DRAM（1b），而三星电子则押注于第六代（1c）技术。据报道，全永鉉在与英伟达的此次会谈中也表达了对三星电子 HBM4 性能的信心。

业界评价，自全永鉉上任以来，三星电子的内存竞争力正在迅速恢复。自上任以来，他一直致力于恢复DRAM的根本竞争力，包括改进HBM3E基座和核心芯片。在今年3月举行的股东大会上，他就HBM3E强调：“我们正在努力提升产品竞争力，HBM3E 12层存储器最早在第二季度，最迟在下半年就能在市场上占据主导地位。”

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今天是《半导体行业观察》为您分享的第4082期内容，欢迎关注。

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