广东
三星半导体负责人全永铉
三星半导体部门负责人全永铉近期访问英伟达总部，就为 GB300 Blackwell Ultra 供应 12 层 HBM3E 展开讨论，涉及质量认证及明年供货可能。
三星强调其基于第四代 10 纳米级 DRAM 的 12 层 HBM3E 质量不逊色于竞争对手，且已与 AMD 达成 MI350X 系列供货协议，因此认为获英伟达认证只是时间问题。
一位知情人士透露：“三星强调，其基于第四代10纳米级DRAM（1a）的12层HBM3E存储器的质量并不逊色于竞争对手，并讨论了Blackwell Ultra的供货可能性，Blackwell Ultra将于明年量产。” 该消息人士补充道：“三星电子内部期待着积极的成果，因为其质量在数值上并不逊色，而且他们已经与包括AMD在内的其他公司达成了供货协议。”
英伟达计划年底出货 Blackwell Ultra，其 12 层 HBM3E 初始供货合同已与 SK 海力士、美光签订。
此外，三星存储核心高管五月下旬也前往英伟达推进供应协议，三星将 2025 年 6 月底前向英伟达大规模出货 HBM3E 列为优先事项，以抢占 AI 芯片内存市场，同时还面临美光竞争，且计划向英伟达供应 GDDR 和 SOCAMM 产品，其 12 层 HBM3E 已通过英伟达裸片测试，仅剩封装验证。
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