重庆
无限期的终结 豁免权取消冲击全球芯片巨头
美国商务部副部长杰弗里·凯斯勒近日正式通知三星电子、SK海力士和台积电，计划取消这些企业在中国大陆工厂使用美国技术的豁免权。这一消息由《华尔街日报》于6月20日率先披露，迅速引发全球半导体产业震动。
若政策落地，上述企业向中国工厂输送美国芯片制造设备将需要逐案申请许可证，终结自2023年10月延续至今的“无限期豁免”状态。
消息传出当日，美国三大芯片设备制造商股价应声下跌：KLA下跌2.4%，Lam Research下跌1.9%，应用材料下跌2%。
这项引发行业震荡的豁免权，源起于2022年10月美国对华半导体出口管制政策。当时，美国政府限制中国大陆晶圆厂获取先进制程芯片制造设备的能力。
在政策出台数日后，三星、SK海力士和台积电获得了为期一年的豁免许可3。2023年10月，在豁免即将到期之际，美国商务部又将其升级为 “无限期豁免”。
如今不足一年，这一特权面临被撤销的命运。
根据美国原有规定，这些企业向中国大陆工厂运送美国芯片制造设备无需每次申请单独许可证。一旦豁免取消，每次设备运输都需要经过美国政府的单独审批，为这些企业在中国大陆的运营设置了更高门槛。
美国商务部发言人回应称：“芯片制造商仍将能够在中国运营。新的芯片执行机制与适用于其他向中国出口的半导体公司的许可要求相同，将确保美国有一个平等和互惠的过程。”
台积电南京厂的经营状况凸显了中国生产基地的价值。2024年该厂盈利达25954亿新台币（约合58亿元人民币），同比增长19%。与此同时，台积电在美国亚利桑那州的新厂去年亏损约32亿元人民币。
豁免权撤销的政策实质与直接冲击
国拟将当前“无限期豁免”改为逐案许可审查制，意味着企业每次进口美系设备都需单独申请许可，大幅增加时间和行政成本，带来设备供应的不确定性。
三星西安工厂承担其全球40%的NAND闪存产能，且正在推进286层堆叠先进制程升级；SK海力士无锡工厂贡献其近50%的DRAM产能；台积电南京厂虽以成熟制程（16/12nm）为主，但设备供应若中断，将影响其全球产能调配能力。若无法及时获得美系设备，现有产线维护与制程迭代将面临实质性瘫痪风险。
当然，在短期内，三星、SK海力士和台积电的在华工厂不会立即关闭。但业内人士指出，随着时间的推移，它们可能会发现有效运营变得更加困难10。这主要源于设备维护更新受阻和技术升级受限。
“目前主流的NAND Flash芯片正在迈向了128层以上的更高的堆叠层数，主流的DRAM芯片也在进入10纳米级。”芯智讯报道指出3。若无法获得美系先进设备，这些企业在华工厂的技术升级路径将被阻断。
韩国政府已迅速采取行动。韩国贸易谈判代表、产业通商资源部通商交涉本部长吕翰九于6月22日启程赴美前表示，将在与美方展开磋商时就芯片制造商可能面临限制表示担忧。
全球产业链的连锁反应
三星与SK海力士合计控制全球70%的DRAM和50%的NAND市场，其在华产能若受限，可能引发存储芯片价格上涨，波及智能手机、数据中心和汽车电子等行业。
韩国60%的芯片出口依赖中国市场，三星西安工厂是其唯一海外存储芯片基地。韩国政府与企业界已表达强烈担忧，可能加速推动设备“去美化”或寻求政府介入谈判。台积电同样面临技术升级与地缘政治的双重挤压。
短期内，企业或尝试转向日本东京电子、荷兰ASML的DUV光刻机等非美设备，但技术认证与供应链调整需时数月甚至数年。长期看，中国国产设备商（如北方华创、中微公司）可能获得意外发展机遇，加速本土化替代进程。
中芯国际等企业虽未被直接点名，但美系设备许可门槛提高将增加其设备维护与扩产难度，14nm以下先进制程研发可能进一步受阻。值得一提的是美国制裁已推动中国半导体设备国产化率年均提升10%，长江存储128层NAND良率达90%，中芯国际28nm产能提升至月产15万片。若外企被迫采用中国设备维护产线，将为中国供应商提供难得的验证与迭代机会。
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