北京
金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种硅光器件结构及其制造方法”的专利，公开号CN120122277A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种硅光器件结构及其制造方法，硅光器件结构包括：设于衬底上的第一半导体结构；设于所述衬底上的第一介质层，所述第一介质层覆盖在所述第一半导体结构上；设于所述第一介质层上并与所述第一半导体结构相隔离的波导结构；设于所述波导结构表面上的窗口，所述窗口的底面穿过所述第一介质层的表面位于所述第一半导体结构上；设于所述窗口中的第二半导体结构，所述第二半导体结构与位于所述窗口底面上的所述第一半导体结构接触。本发明同时提供了采用高温炉管工艺制造的高质量氮化硅波导与高响应度的锗基光探测器件的集成方案，且与CMOS工艺兼容，有效降低了工艺难度，减少了工艺风险，并提升了器件的整体性能。
天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目293次，财产线索方面有商标信息96条，专利信息2086条，此外企业还拥有行政许可87个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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