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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“在顶部栅极和底部栅极之间具有独立栅极控制的堆叠场效应晶体管结构”的专利，公开号CN120130136A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，半导体器件包括第一晶体管和电耦合到第一晶体管的第一栅极。第二晶体管位于所述第一晶体管的顶部上。第二栅极电耦合到第二晶体管。电介质隔离层位于第一栅极和第二栅极之间。第一导电触点电耦合到第一栅极。第二导电触点电耦合到第二栅极。通过第一导电触点对第一栅极的控制独立于通过第二导电触点对第二栅极的控制。
本文源自：金融界
作者：情报员
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