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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，江苏南大光电材料股份有限公司;南大光电半导体材料有限公司申请一项名为“一种二碘硅烷的除碘方法”的专利，公开号CN120057926A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种二碘硅烷的除碘方法。所述除碘方法包括：提供二碘硅烷粗品，所述二碘硅烷粗品中含有二碘硅烷和碘单质；使所述二碘硅烷粗品与铜粉接触，以使所述碘单质与铜粉发生化学反应而去除；其中，所述铜粉的粒径为50nm‑45μm。本发明提供了一个高效简便地从DIS粗品中除去碘杂质的方法，该方法不要求对DIS进行预处理或预纯化即可实现除碘，并且，所提供的方法不引起DIS的降解，不带入新的杂质，不影响处理后DIS的稳定性，非常有利于高纯DIS的制备及其在半导体领域的应用。
本文源自：金融界
作者：情报员
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